|
Corsair представляет комплект DDR3-2000 объёмом 4 Гб
Lexagon / 30.05.2008 08:02 / ссылка на материал / версия для печати Компания OCZ Technology уже предлагает комплекты памяти типа DDR3-2000 объёмом 2 х 2 Гб, которые работают при напряжении 1.9 В и значениях таймингов 9-9-9-28. Заметим, что данную память можно купить в интернет-магазине Xmemory, обзоры с её участием можно обнаружить на одноимённом сайте. Вчера на сайте Corsair Memory появился пресс-релиз о намерениях компании представить комплект памяти типа DDR3-2000 объёмом 2 х 2 Гб на грядущей выставке Computex 2008. Комплекты памяти будут относиться к серии Dominator, и комплектоваться фирменными радиаторами DHX Technology. По оценкам Corsair, переход от 2 Гб к 4 Гб памяти даёт прирост в играх от 10% до 46%, а скорость загрузки игры в отдельных случаях увеличивается на 75%. http://www.overclockers.ru/images/ne...minator_01.jpg О значениях таймингов Corsair ничего не сообщает. Существующие комплекты DDR3-2000 объёмом 2 х 1 Гб от этого производителя имеют тайминги 9-9-9-24. Скорее всего, увеличение объёма повлечёт некоторое ослабление таймингов, но утверждать это пока нет оснований. Corsair обещает начать продажу 4 Гб комплектов DDR3-2000 в третьем квартале по рекомендованной цене $675. (C)_www.overclockers.ru |
Модули DDR3-1066/1333 объёмом 2 Гб от Silicon Power
02.06.2008 [20:52], Руслан Цап Компании Silicon Power официальным пресс-релизом уведомила общественность о выводе на рынок новых 240-контактных Unbuffered DIMM-модулей памяти DDR3-1066 и DDR3-1333, обладающих объёмом 2 Гб. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/06/01/84207.jpg По заявлениям разработчиков, каждая планка сформирована на 6-слойной печатной плате в полном соответствии со всеми требованиями стандартов JEDEC и снабжена передовой технологией ASR (Automatic Self-Refresh) Technology, которая призвана заметно понизить тепловыделение, а также уменьшить энергопотребление изделий. При этом отмечается, что новинки характеризуются напряжением питания 1,5 В, функционируют с задержками CL7 (DDR3-1066) и CL9 (DDR3-1333), а также обеспечиваются пожизненной гарантией качества. Что же касается стоимости и сроков вероятного появления новых продуктов в продаже, то подобной информации их создатели пока ещё не предоставили. (C)_3dnews.ru |
4-гигабайтный комплект модулей памяти Corsair Dominator DDR2-1142 (PC2-9136)
большой объем, высокая частота... и забота об экологии "По современным меркам, 2 ГБ оперативной памяти все чаще фигурируют не в качестве оптимального, а минимального, объема, когда речь идет о комплектации универсального компьютера. А аппетиты Windows Vista и современных игр в свою очередь стимулируют наиболее активную часть пользователей выбирать среди 4-гигабайтных комплектов. На сайте Corsair приведено любопытное исследование производительности конфигураций с 2 и 4 ГБ памяти, где на примере ряда современных игр, доказывается, что такой объем не будет простаивать уже сейчас. И даже если вы скептически относитесь к «фирменным» тестированиям, едва ли станете отрицать, что тенденции к росту объемов, занимаемых программными модулями в памяти, очевидна. Разумеется, неиспользуемые в данный момент, могут храниться в виртуальной памяти, на жестком диске, но если переключение между программами, вызывает томительную паузу для подкачки данных, многозадачная среда сильно теряет в привлекательности. Еще одна причина позаботиться о 4 ГБ комплекте уже сейчас (при покупке нового компьютера), состоит в том, что расширение массива памяти за счет добавления пары модулей, к двум имеющимся, всегда отрицательно сказывается на производительности. Даже если в будущем удастся найти точно такую же пару модулей (что на практике маловероятно), наверняка придется ограничиться более мягкими таймингами, а если память была разогнана, снизить и частоты. В тоже время, известно, что модули большого объема изначально имеют ограниченные способности в части разгона (сказывается двухбанковая организация), и именно поэтому не пользуются почетом среди экстремальных сторонников разгона. Однако наборы емкостью 4 ГБ с гарантированной производителем высокой частотой существуют, и мы рассмотрим комплект с, пожалуй, рекордной для этого объема частотой — 1142 МГц при сохранении стандартной схемы таймингов (5-5-5-15) и относительно невысокого для оверклокерских модулей напряжения (2,1 В)." |
Computex 2008: фоторепортаж со стенда A-Data — много оверклокерской памяти
BESS! @ 09:48 Как мы и обещали, кроме стенда Aeneon, мы рассмотрим и экспонаты со стендов других производителей памяти, в частности, обратим внимание на оверклокерскую память производства A-Data. _http://www.ixbt.com/short/images/IMG_0268.jpg На выставку Computex 2008 компания A-Data привезла свои интересные продукты — модули памяти, которые наверняка приглянутся оверклокера и компьютерным энтузиастам, моддерам, стремящимся собрать себе быструю систему, которая, к тому же, ещё и хорошо выглядит. _http://www.ixbt.com/short/images/IMG_0270.jpg Модули памяти A-Data показывались «вживую», точнее, в работе, установленные в материнские платы, а не в свете софитов и лежащие на полочках и подставках. Таким образом посетитель выставки мог сам рассмотреть память, установленную в ту или иную системную плату, оценить габариты этих модулей и сделать для себя какие-то выводы. _http://www.ixbt.com/short/images/IMG_0271.jpg К тому же, некоторые модели, оснащенные массивными радиаторами охлаждались принудительно вентиляторами с подсветкой, что должно было придать дополнительный шарм этим разработкам. _http://www.ixbt.com/short/images/IMG_0272.jpg _http://www.ixbt.com/short/images/IMG_0273.jpg _http://www.ixbt.com/short/images/IMG_0274.jpg Но наибольший интерес у любителей разгона наверняка вызвали модули, охлаждаемые экстремально — для кого-то это уже система водяного охлаждения, но были замечены и модули, поверх радиаторов которых были прицеплены ёмкости для еще более продуктивного охлаждения жидким азотом. _http://www.ixbt.com/short/images/IMG_0276.jpg _http://www.ixbt.com/short/images/IMG_0275.jpg Источник: VR-zone (C)_www.ixbt.com |
Модули DDR2-800 SO-DIMM серии HyperX от Kingston
15.06.2008 [16:56], Руслан Цап Успев не так давно представить первые в продуктовой линейке HyperX наборы модулей памяти DDR2-667 SO-DIMM для ноутбуков, компания Kingston Technology решила не останавливаться на достигнутом и анонсировала выпуск новых планок HyperX DDR2-800 SO-DIMM, отличающихся весьма малыми значениями таймингов. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/06/12/85593.jpg Изделия, обеспечиваемые пожизненной гарантией качества, предлагаются в двух комплектах общим объёмом 2 Гб (серийный номер KHX6400S2LLK2/2G) и 4 Гб (серийный номер KHX6400S2LLK2/4G), которые характеризуются рабочей частотой 800 МГц, задержками CL5-5-5-18 и номинальным напряжением питания 1,8 В. В зависимости от ёмкости стоимость новых наборов составляет $88 и $138. (C)_3dnews.ru |
JEDEC утверждает профили для низковольтной DDR3...
[19.06.2008 12:47:00] Об эффективности компьютерной памяти заботятся не только производители систем охлаждения – им-то как раз приходится бороться с последствиями неоптимальной либо чрезмерно разогнанной «оперативки» – но также продолжает улучшать спецификации DRAM ответственная за стандарт организация. Конкретно – комитет JEDEC. Официальным пресс-релизом комитет объявил о разработке спецификаций и профилей SPD для низковольтной памяти DDR3. Для компьютерного рынка модули энергоэкономичной DRAM будут маркироваться как «PC3L», для встраиваемых применений – «EP3L». Напряжение питания DDR3L снижено на 20%: с 1,5 В до 1,35 Вт. В дальнейшем JEDEC обещает ещё больше снизить напряжение питания памяти современного поколения – до 1,25 В и даже ниже. Официальный документ комитета пронизан духом «зелёных» технологий – чрезвычайно модная и где-то даже насущная тема. В отрыве от лозунгов о спасении ледников нельзя не отметить предполагаемый хороший разгонный потенциал низковольтной DDR3 – греться она будет меньше своих стандартных собратьев. Теперь вся надежда на производителей материнских плат – без соответствующих BIOS’ов и подсистем питания памяти начинание JEDEC так и останется на бумаге. Автор: GreenCo (C)_www.fcenter.ru DDR3-память для ноутбуков от Transcend 19.06.2008 [10:33], Александр Будик Специально для ноутбуков и систем малого форм-фактора компания Transcend Information представила комплекты 204-контактных низкопрофильных планок памяти типа DDR3-1066/1333 емкостью до 2 Гб. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/06/17/86177.jpg Новинки Transcend спроектированы на основе архитектуры Fly-by, которая позволяет более эффективно передавать данные между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Каждый модуль ОЗУ состоит из чипов с организацией 128Mx8, упакованных в корпуса FBGA. Основные характеристики TS128MSK64V3U/TS128MSK64V1U/TS256MSK64V1U:
Память Apacer Aeolus DDR3-1800/1600 в наборах по 4 Гб 19.06.2008 [13:33], Руслан Цап Желая удовлетворить потребности компьютерных энтузиастов в высокопроизводительных и ёмких планках оперативной памяти, компания Apacer Technology объявила о выпуске 4-гигабайтных двухканальных наборов памяти DDR3-1800 и DDR3-1600 из "оверклокерской" серии Aeolus. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/06/18/86231.jpg Как отмечается в опубликованном официальном пресс-релизе, новые 240-контактные DIMM-модули построены на базе высококачественных чипов от Micron Technology со схемой организации 128Mx8, функционируют на частоте 1800/1600 МГц с задержками CL8-8-8-24/CL7-7-7-20, характеризуются напряжением питания 1,8/1,9 В и поддерживают профили Intel XMP (Extreme Memory Profiles). Кроме того, указывается на то, что изделия обеспечиваются пожизненной гарантией качества и для стабильного функционирования оборудованы уникальной по дизайну системой активного охлаждения, состоящей из особого двухслойного радиатора запатентованной конструкции с установленным над ним миниатюрным вентилятором. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/06/18/86232.jpg Вот только о стоимости и сроках поступления новых продуктов в продажу разработчики пока ничего не сообщили. Комплекты памяти G.Skill PI-8800 DDR2 объёмом 4 и 8 Гб 19.06.2008 [14:38], Руслан Цап Согласно информации, озвученной в опубликованном компанией G.Skill официальном пресс-релизе, ассортимент выпускаемых этим производителем модулей памяти серии PI пополнился двумя новыми наборами с серийными номерами F2-8800CL5D-4GBPI и F2-8800CL5Q-8GBPI, которые состоят из двух и четырёх планок памяти PI-8800 DDR2 общим объёмом 4 и 8 Гб соответственно. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/06/18/86240.jpg Как сообщается, каждый из 240-контактных DIMM-модулей сформирован на 8-слойной печатной плате, функционирует на частоте 1100 МГц с задержками 5-5-5-15, характеризуется напряжением питания 1,8-1,9 В и обеспечивается пожизненной гарантией качества. При этом особо подчёркивается, что для поддержания оптимального температурного режима изделий в новинках применены фирменные двухсторонние алюминиевые RAM-кулеры пассивного типа охлаждения с особой формой теплораспределительных пластин, благодаря которой удалось значительно улучшить эффективность рассеивания тепла. Что же касается цен и сроков вероятного появления вышеописанных продуктов в продаже, то точных данных на сей счёт пока нет. (C)_3dnews.ru |
JEDEC снижает номинальное напряжение модулей DDR-3
Lexagon / 21.06.2008 06:40 / ссылка на материал / версия для печати До сих пор каждый новый вид оперативной памяти приносил снижение номинального напряжения. Например, при переходе от DDR-2 к DDR-3 оно было снижено с 1.8 до 1.5 В. Впрочем, некоторые производители памяти утверждали, что из-за роста тактовых частот DDR-3 всё равно будет потреблять больше электроэнергии, и требовать более эффективного охлаждения. Случайность это или нет, но именно на период начала экспансии DDR-3 пришёлся расцвет систем охлаждения оперативной памяти. Комитет JEDEC, занимающийся вопросами сертификации новых стандартов в области памяти, на этой неделе опубликовал пресс-релиз, в котором объявил о разработке новой разновидности DDR-3 с пониженным напряжением питания. Авторы документа сообщают, что улучшения в технологическом процессе изготовления памяти позволили снизить напряжение с 1.5 до 1.35 В. Для новых модулей памяти решено использовать обозначение вида PC3L-xxxx или DDR-3L. Новое значение номинального напряжения будет зашито в SPD, при этом DDR-3L будет совместима со всеми материнскими платами, поддерживающими DDR-3. Это не последний шаг на пути к дальнейшему повышению экономичности DDR-3, ибо JEDEC планирует в будущем снизить номинальное напряжение до 1.25 В, или даже более низкой величины. Производители материнских плат должны закладывать в свои продукты возможность работы с более низкими напряжениями. Судя по всему, стандарт DDR-3 пришёл на рынок надолго. В конце этого года поддержку DDR-3 получат процессоры AMD, а перспективные процессоры Intel поколения Nehalem тоже выбрали DDR-3 в качестве поддерживаемого типа памяти. (C)_www.overclockers.ru |
Серия G.Skill PI-8800: до 8 ГБ энергоэффективной памяти
BlackCat @ 09:21 Недавно появившаяся на рынке серия модулей памяти G.Skill PI пополнилась весьма интересными продуктами. Речь идет о вновь представленных наборах PC2-8800 объёмом 4 и 8 ГБ (2 и 4 модуля по 2 ГБ, соответственно). Новинки работают на частоте 1100 МГц при очень низком напряжении, всего 1,8 В. У аналогичных продуктов данный показатель обычно не ниже 2,1 В. Тайминги G.Skill PI-8800 составляют 5-5-5-15. _http://www.ixbt.com/short/images/D2_1100_8GB_1_s.jpg Модули комплектуются массивным радиатором, вкупе с напряжением обеспечивающим низкую рабочую температуру. На серию PI производитель дает пожизненную гарантию. Источник: G.Skill (C)_www.ixbt.com |
G.Skill выпустила комплекты модулей памяти Pi для энтузиастов
23 июня 2008, 22:05 Компания G.Skill представила комплекты оперативной памяти DDR2-1100 "Pi". Производитель выпустил два комплекта модулей оперативной памяти: комплект F2-8800 CL5D-4GB PI объемом 4 Гбайт (2 модуля по 2 Гбайт), и комплект F2-8800 CL5Q-8GB PI объемом 8 Гбайт (4 модуля по 2 Гбайт). Комплекты сертифицированы на работу при частоте 1100 МГц с таймингами 5-5-5-15. G.Skill использовала восьмислойную печатную плату для производства модулей Pi. http://www.thg.ru/technews/images/sk...kit-230608.jpg Эта память способна работать при повышенном напряжении питания 1,8-1.9 В. На оперативную память компания предоставляет пожизненную гарантию. Стоимость комплектов пока неизвестна. (C)_www.thg.ru |
Fatal1ty благословляет OCZ Technology на выпуск памяти и блоков питания
Lexagon / 25.06.2008 09:22 / ссылка на материал / версия для печати Комплектующие с лейблом Fatal1ty, принадлежащим известному кибер-спортсмену Джонатану Уэнделу (Jonathan Wendell), периодически появляются в ассортименте продукции различных производителей, которые стремятся понравиться любителям компьютерных игр. Получить официальное благословение Fatal1ty в своё время умудрились компании Zalman, abit, XFX и Creative. Под этой торговой маркой также предлагаются наушники, мышки и клавиатура для будущих чемпионов по компьютерным играм. На этой неделе о своём желании разместить лейбл Fatal1ty на модулях оперативной памяти и блоках питания заявила компания OCZ Technology. Соответствующее соглашение было подписано с правообладателем и самим Джонатаном Уэнделом. Образцы соответствующих модулей памяти уже демонстрировались на Computex 2008. http://www.overclockers.ru/images/ne.../25/ocz_01.jpg Fatal1ty будет участвовать в разработке дизайна и подборе технических характеристик модулей памяти и блоков питания данной серии. Считается, что такие продукты лучше соответствуют требованиям геймеров. Начало совместной работы над новыми продуктами намечено на лето текущего года. Что ж, теперь к звуковым картам, материнским платам, кулерам и видеокартам с лейблом Fatal1ty фанаты смогут добавить ещё и блоки питания с модулями оперативной памяти. (C)_www.overclockers.ru |
4 Гб памяти Corsair DDR2-800 FB-DIMM для Apple Mac Pro
27.06.2008 [14:20], Руслан Цап Компания Corsair объявила о выпуске нового набора из двух модулей памяти DDR2-800 FB-DIMM общим объёмом 4 Гб, которые специально предназначены для применения в мощных рабочих станциях Apple Mac Pro, построенных на базе чипсета Intel 5400 и укомплектованных созданными по 45-нм технологии многоядерными процессорами Intel Xeon 5400. Напомним, что до этого разработчики уже успели вывести на рынок 2- и 4-гигабайтные комплекты, состоящие из пары планок DDR2-667 FB-DIMM. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/06/26/86943.jpg Как сообщается в опубликованном официальном пресс-релизе, входящие в набор изделия функционируют на частоте 800 МГц и для поддержания оптимального температурного режима оборудованы оригинальным по дизайну радиатором. Кроме того, отмечается, что все модули были подвержены всестороннему тестированию с целью подтверждения их полной совместимости и высокой степени надёжности, вследствие чего обеспечиваются пожизненной гарантией качества. В заключение остаётся добавить лишь то, что новый комплект уже доступен для приобретения, причём рекомендованная рыночная цена на него установлена в размере $250. (C)_3dnews.ru |
«Нечётные» комплекты памяти от OCZ...
[28.06.2008 14:12:00] Двухканальные контроллеры памяти чипсетов и процессоров (AMD) приучили производителей выпускать комплекты из двух, а с появлением Windows Vista и четырёх идентичных модулей памяти. Компания OCZ решила нарушить данную традицию и предложила комплект ОЗУ с нечётным объёмом 3 ГБ: http://www.fcenter.ru/images/whatnew...sodimm_big.jpg OCZ PC2-5400 SODIMM (DDR2-667) Память, как видим, в исполнении SODIMM-модулей. Для ноутбука производительность подсистемы памяти – согласованная работа одинаковых по объёму модулей – вопрос не первостепенный. А вот проблема относительно недорогой модернизации, когда 4 ГБ кажутся лишней тратой денег, а 2 ГБ упираются в нижний предел полноценной работы Windows Vista, встаёт довольно часто. Следовательно, 3-ГБ комплекты (2 ГБ плюс 1 ГБ) действительно могут заполнить промежуточную нишу и дать возможность гибко модернизировать подсистему памяти мобильного компьютера. Память PC2-5400 SODIMM (DDR2-667) имеет довольно неплохие тайминги – CL 5-5-5-15. Напряжение питание стандартное – 1,8 Вт. Доступны также 2-ГБ и 4-ГБ комплекты. Автор: GreenCo (C)_www.fcenter.ru |
"Фатальная" память DDR3-1333 от OCZ уже в продаже!
29.06.2008 [13:35], Руслан Цап Как известно, не так давно пресс-служба OCZ Technology объявила о подписании партнёрского соглашения с известнейшим геймером Джонатаном "Fatal1ty" Венделом (Johnathan "Fatal1ty" Wendel) и компанией Auravision, в рамках которого производитель будет выпускать высококлассные модули памяти и блоки питания под ставшим уже культовым брендом Fatal1ty. Более того, до сего момента, в рамках международной выставки Computex 2008 в Тайбэе разработчики даже успели продемонстрировать многочисленным посетителям данного мероприятия первые пробные образцы своих новых планок памяти. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/06/28/87038.jpg А теперь благодаря стараниям сотрудников сетевого ресурса Fudzilla стало известно о том, что в одном германском онлайн-магазине уже сейчас можно приобрести ещё официально не представленный двухканальный набор памяти OCZ 4GB Fatal1ty DDR3-1333 Memory Kit (серийный номер OCZ3F13334GK ) по цене 175 евро. Как сообщается, новый комплект состоит из пары 240-контактных DIMM-модулей DDR3 PC-10666 объёмом 2048 Мб каждый, которые функционируют на частоте 1333 МГц с задержками 9-9-9-26 и оборудованы оригинальными радиаторами Fatal1ty XTC Heatspreader. Что ж, видимо, формального анонса этого продукта нам с вами осталось ждать недолго. "Игровая" память Exceleram DDR2-1100/1066 в наборах по 4 Гб 29.06.2008 [15:17], Руслан Цап Идя навстречу нуждам заядлых геймеров и компьютерных энтузиастов, компания Exceleram анонсировала выпуск двух наборов высокопроизводительной памяти DDR2, каждый из которых состоит из пары 240-контактных DIMM-модулей общим объёмом 4 Гб. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/06/28/87040.jpg По заявлениям разработчиков, входящие в комплект EX2-41066P2-SX планки функционируют на частоте 1066 МГц, тогда как изделия из набора EX2-41100P2-SX могут похвастаться более впечатляющей частотой 1100 МГц. При этом в обоих случаях значения задержек составляют CL5-5-5-15, а показатель напряжения питания равен 1,9-2,0 В. Кроме того, отмечается, что для поддержания оптимального температурного режима все новые модули оборудованы фирменными алюминиевыми радиаторами. Вот только стоимость вышеописанных продуктов, равно как и сроки начала их массовых продаж, изготовителем пока не уточняются. (C)_3dnews.ru |
3 Гб памяти OCZ PC2-5400 DDR2 SO-DIMM для ноутбуков
29.06.2008 [17:54], Руслан Цап Желая предоставить владельцам портативных компьютеров более широкий выбор опций для удовлетворения специфических нужд, компания OCZ Technology объявила о доступности для приобретения модулей памяти PC2-5400 DDR2 SO-DIMM в оптимизированном наборе общим объёмом 3 Гб. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/06/28/87039.jpg Как сообщается, данный двухканальный комплект с серийным номером OCZ6672MV6673GK состоит из пары 200-контактных планок ёмкостью 1 и 2 Гб, которые функционируют на частоте 667 МГц с задержками CL 5-5-5-15, характеризуются напряжением питания 1,8 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. Что же касается стоимости, то она пока разработчиками не называется, хотя в опубликованном официальном пресс-релизе заявлено, что цена продукта будет весьма агрессивной и наверняка заинтересует тех пользователей, кто не привык выбрасывать деньги на ветер. (C)_3dnews.ru |
Walton Chaintech представила память APOGEE GT с поддержкой EPP
BESS! @ 05:20 Компанией Walton Chaintech представлена специальная линейка модулей памяти APOGEE GT, которая ориентирована на энтузиастов разгона. Оверклокерские модули APOGEE GT поддерживают технологию Enhanced Performance Profiles (EPP), позволяющую использовать тонкие настройки SPD и обеспечивать таким образом более высокую производительность подсистемы памяти при работе с материнскими платами класса high-end. _http://www.ixbt.com/short/images/APOGEE_GT_EPP.jpg Отмечается, что с модулями APOGEE GT, даже пользователю, мало знакомому с процессом разгона, легко удастся повысить производительность подсистемы памяти и компьютера в целом. Благодаря поддержке NVIDIA EPP 2.0 модули APOGEE GT EPP, как заявлено, быстро можно настроить на максимальную производительность, легко подобрав оптимальную частоту и тайминги, не прибегая к настройкам в BIOS. При работе с чипсетом 680i SLI модули памяти APOGEE GT DDR2-1066 работают с таймингами CL 5-5-5-15 при напряжении питания 1,9 В, с такими же задержками работают и модули APOGEE GT DDR2-1150 при напряжении 2,1 В. Для работы с чипсетом NVIDIA nForce 790i Ultra SLI, поддерживающим EPP 2.0, предназначены модули APOGEE GT DDR3-1600, которые достигают значений задержек CL 8-7-7-18 при 1,8 В, а память DDR3-1800 работает с таймингами CL 8-8-8-24 при питании 1,9 В. Ещё более быстрые DDR3-2000 имеют задержки СL 9-9-9-27 и работают при напряжении 2,1 В. Источник: Walton Chaintech (C)_www.ixbt.com |
Память Patriot Viper DDR3-1800 категории NVIDIA SLI Ready
02.07.2008 [16:00], Руслан Цап Компания Patriot Memory в опубликованном официальном пресс-релизе уведомила общественность о том, что её новый 2-гигабайтный набор памяти DDR3-1800 из популярной серии Viper Extreme Performance успешно прошёл сертификацию NVIDIA на полное соответствие всем требованиям категории SLI Ready. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/02/87377.jpg Как отмечается, данный комплект с серийным номером PVS32G1800LLKN идеально подходит для применения в мощных игровых платформах на базе чипсета NVIDIA nForce 790i Ultra SLI, поскольку поддерживает профили EPP 2.0 для простой, в один клик, оптимизации производительности системы памяти. При этом указывается на то, что каждый из двух входящих в набор 240-контактных DIMM-модулей функционирует на частоте 1800 МГц с задержками 8-8-8-20, характеризуется напряжением питания 1,9 В, оборудован фирменным радиатором Aluminum-Copper Composite (ACC) Heatspreader зелёного цвета и обеспечивается пожизненной гарантией качества. А вот о стоимости и сроках начала массовых продаж новинки пока ничего не сообщается. (C)_3dnews.ru |
"Экстремальная" память aXeRam DDR3-1800 от Transcend
03.07.2008 [12:20], Руслан Цап Порадовать заядлых игроманов и бескомпромиссных оверклокеров решила компания Transcend Information, анонсировав выпуск новых модулей памяти DDR3-1800 серии aXeRam Extreme Performance, предлагаемых в двухканальных наборах из пары 240-контактных планок общим объёмом 2 Гб (серийный номер TX1800KLU-2GK). http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/02/87418.jpg Согласно заявлениям разработчиков, изделия построены на 8-слойных печатных платах в полном соответствии с требованиями стандартов JEDEC и основаны на высококачественных брендовых DRAM-чипах со схемой организации 128Мх8 и корпусировкой FBGA. При этом указывается на то, что новинки функционируют на частоте 1800 МГц с задержками 8-8-8-24, характеризуются напряжением питания 1,8 В и поддерживают профили Intel Extreme Memory Profiles (XMP). Кроме того, отмечается, что данные модули оборудованы фирменными алюминиевыми радиаторами оригинальной конструкции и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. Теперь только осталось узнать, когда и за какие деньги геймеры и компьютерные энтузиасты смогут приобрести себе описанные выше комплекты. (C)_3dnews.ru |
Четыре набора памяти DDR3 от OCZ с поддержкой Intel XMP
04.07.2008 [00:03], Руслан Цап Согласно информации, озвученной в опубликованном компанией OCZ Technology официальном пресс-релизе, в ассортименте предлагаемых этим изготовителем продуктов серии Intel Extreme Memory Series появились новые 240-контактные DIMM-модули памяти DDR3 PC3-12800 и DDR3 PC3-10666, которые поддерживают профили Intel Extreme Memory Profiles (XMP) и специально оптимизированы для эффективного использования с материнскими платами на базе чипсетов Intel X38 Express и Intel X48 Express. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/03/87535.jpg Как сообщается, каждое из изделий обеспечивается пожизненной гарантией качества и будет доступно в двухканальных наборах из пары планок общим объёмом 2 и 4 Гб, оборудованных оригинальными по дизайну радиаторами Intel Black XTC Heatspreader. При этом комплекты OCZ3X16002GK и OCZ3X16004GK функционируют на частоте 1600 МГц с задержками CL 7-7-7-24 и характеризуются напряжением питания 1,9 В, которое благодаря функции OCZ EVP может быть повышено до 2,0 В. В свою очередь комплекты OCZ3X13332GK и OCZ3X13334GK отличаются частотой 1333 МГц, таймингами CL 7-7-7-20 и рабочим напряжением 1,75 В, причём всё та же функция OCZ EVP позволяет увеличить последний параметр до значения 1,9 В. Что же касается цен и сроков начала массовых продаж описанных новинок, то они пока разработчиками ещё не объявлены. (C)_3dnews.ru |
Transcend выпускает свою первую память DDR3 для энтузиастов
BlackCat @ 09:21 Для компании Transcend память DDR3 является новинкой, производитель не слишком торопился с его выпуском и свои первые модули представил лишь недавно. Сейчас дошло дело и до анонса элитной памяти aXeRam DDR3-1800+ Extreme Performance. Напомним, ранее, в данной серии выпускались лишь модули DDR2. Изначально, в новой серии будут доступны наборы из двух модулей общим объёмом 2 ГБ. Они используют 8-слойные печатные платы и чипы упакованные в корпус FBGA. Заявлена поддержка технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP), облегчающая достижение максимальной производительности подсистемы памяти на флагманских системных платах партнеров Intel. Номинальное напряжение новых модулей памяти Transcend составляет 1,8 В, а тайминги - 8-8-8-24. Память Transcend aXeRam DDR3-1800+ Extreme Performance имеет пожизненную гарантию производителя. Источник: Transcend (C)_www.ixbt.com |
3-гигабайтный комплект модулей памяти OCZ DDR2-667 SO-DIMM для ноутбуков
06 июля 2008, 12:30 Компания OCZ анонсировала начало выпуска набора модулей памяти DDR2-667 SO-DIMM для ноутбуков. Официальное название новинки - OCZ6672MV6673GK. Комплект несколько необычный, дело в том, что он включает в себя один модуль памяти объемом 1 Гбайт и один модуль DDR2 объёмом 2 Гбайт. http://www.thg.ru/technews/images/oc...kit-060708.jpg Модули памяти прошли сертификацию на стабильную работу при 667 МГц и таймингах 5-5-5-15. Память OCZ6672MV6673GK должна появиться уже в этом месяце. Производитель предоставляет пожизненную гарантию на 3-гигабайтный комплект DDR2-667 SO-DIMM. (C)_www.thg.ru |
OCZ выпустила DDR3 для ноутбуков
09 июля 2008, 12:30 Постепенно оперативная память нового поколения DDR3 вытесняет память DDR2 в настольном сегменте. Тенденция замещения памяти DDR2 модулями DDR3 стала зарождаться и на рынке ноутбуков. Так, например, недавно компания OCZ анонсировала начало выпуска оперативной памяти DDR3 SO-DIMM для ноутбуков. http://www.thg.ru/technews/images/oc...ops-090708.jpg OCZ выпустила комплекты памяти PC3-8500 2 x 2 Гбайт и комплекты 2 x 1 Гбайт. Память будет работать на частоте 1066 МГц при таймингах 8-8-8-27 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Позже будут выпущены комплекты ещё более быстрой памяти PC3-10666, работающей на частоте 1333 МГц при таймингах 9-9-9-24 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Хотя даже предполагаемая стоимость новинок пока неизвестна, одно известно точно: производитель предоставит пожизненную гарантию на память DDR3 для ноутбуков. (C)_www.thg.ru |
2 Гб памяти DDR3-2133 серии DOMINATOR от Corsair
09.07.2008 [23:15], Руслан Цап Желая приятно удивить заядлых геймеров и компьютерных энтузиастов, компания Corsair добавила в ассортимент предлагаемых ею продуктов популярной серии DOMINATOR новый двухканальный набор памяти DDR3, состоящий из пары планок общим объёмом 2048 Мб, функционирующих на впечатляющей частоте 2133 МГц с задержками 9-9-9-24. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/09/88069.jpg Как сообщается, данный комплект с серийным номером TW3X2G2133C9DF был подвержен тщательному тестированию на материнской плате, основанной на чипсете NVIDIA nForce 790i SLI, и обеспечивается пожизненной гарантией качества. При этом каждый из двух модулей характеризуется напряжением питания 2,0 В и оборудован фирменным четырёхслойным радиатором, созданным по запатентованной технологии Dual-path Heat Xchange (DHX) Technology. Кроме того, для организации ещё более эффективного воздушного охлаждения решений в комплект поставки дополнительно включён модуль Dominator Air-Flow Block. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/09/88070.jpg Вот только ориентировочная цена и сроки начала массовых продаж описанного выше продукта его разработчиками пока не уточняются. (C)_3dnews.ru |
Qimonda считает, что эра GDDR-5 продлится не менее пяти лет
Lexagon / 11.07.2008 12:22 / ссылка на материал / версия для печати Компания Qimonda ещё весной прошлого года выразила своё отношение к перспективам развития графической памяти: на смену GDDR-3 предлагалось сразу представить GDDR-5, поскольку память типа GDDR-4 не оправдала ожиданий по снижению уровня энергопотребления. Что ж, отчасти такую позицию можно считать справедливой, ведь память типа GDDR-4 действительно нашла применение только на видеокартах Radeon HD 3870, и даже двухчиповый Radeon HD 3870 X2 ограничился использованием памяти GDDR-3. У микросхем GDDR-5, судя по всему, таких проблем не возникнет, ведь они будут использоваться не только одиночными видеокартами Radeon HD 4870, но и двухчиповыми R700. Кроме того, в обозримой перспективе на использование GDDR-5 может перейти компания NVIDIA, которая GDDR-4 попросту игнорировала. Qimonda очень гордится тем, что именно её микросхемы GDDR-5 размещаются на видеокартах Radeon HD 4870, хотя выпуском этого типа памяти начинают заниматься и другие производители. Уже сейчас Qimonda освоила выпуск микросхем GDDR-5 с частотой 5.0 ГГц DDR, а следующее поколение памяти этого типа будет работать на частоте 6.4 ГГц DDR. Представители Qimonda сделали несколько интересных заявлений, которые цитирует сайт EE Times. Прежде всего, Qimonda считает GDDR-5 перспективным стандартом, который закрепится на рынке на период не менее пяти лет. Высокая пропускная способность GDDR-5 обеспечивает более высокую производительность по сравнению с GDDR-3 - прирост достигает 40%, по оценкам Qimonda. Микросхемы GDDR-5 можно производить с использованием четырёхслойного дизайна, тогда как для GDDR-3 требуется шестислойный дизайн. Разумеется, это снижает себестоимость производства GDDR-5. В плане энергопотребления GDDR-5 выигрывает у GDDR-3 около 30%. К осени инженерам Qimonda удастся снизить рабочее напряжение микросхем GDDR-5 с 1.2 до 1.0 В, что также благоприятно скажется на энергетической экономичности памяти этого типа. Плотность микросхем GDDR-5 тоже будет повышаться, что позволит создавать видеокарты с большим объёмом памяти. Qimonda активно наращивает объёмы производства памяти типа GDDR-5, надеемся, что этим воспользуются производители видеокарт. (C)_www.overclockers.ru |
OCZ выпустила оперативную память для SLI-систем
13 июля 2008, 12:02 Компания OCZ выпустила модули оперативной памяти DDR2-1000, сертифицированные для работы в SLI-системах. Новая серия модулей оперативной памяти включает в себя два комплекта. Первый: два модуля объемом по 1 Гбайт каждый, второй: два модуля объемом по 2 Гбайт. Комплекты модулей памяти обозначаются как PC2-8000 SLI Ready. http://www.thg.ru/technews/images/oc...ady-130708.jpg Модули памяти оснащены радиаторами охлаждения XTC. Производитель заявляет, что PC2-8000 SLI Ready способна работать на частоте 1 ГГц при таймингах 5-5-4-15 (CAS-TRCD-TRP-TRAS) и напряжении питания 2,1 В. Как обычно, модули памяти имеют пожизненную гарантию от производителя. (C)_www.thg.ru |
Память на мемристорах будет работать подобно мозгу человека
14.07.2008 [11:35], Андрей Горьев В апреле Hewlett Packard доказала факт сущеcтвования мемристоров. Мемристоры — четвертый элемент электротехнической теории цепи, наряду с резисторами, емкостями и индуктивностями. Сейчас HP продемонстрировала как можно контролировать мемристор, который изменяет сопротивление в зависимости от протекающего по нему тока, и тем самым сделала шаг в направлении создания прототипа и выпуска нового запоминающего устройства — RRAM (resistive random-access memory) — к 2009 году. "Мы сейчас получили экспериментальное доказательство того, что наши мемристоры ведут себя согласно теории", — сказал Дункан Стюарт (Duncan Stewart), основной исследователь мемристоров в HP Labs. "К тому же, мы продемонстрировали как можно управлять мемристорными структурами, что позволит в скором времени построить работающие микросхемы." Мемристор представляет собой двухстороннюю и двухслойную структуру. Слои из оксида титана зажаты между двумя металлическими электродами перемычкой. Один слой оксида титана покрыт кислородными вакансиями, что делает его полупроводником, соседний слой этого покрытия не имеет и играет роль изолятора. По наличию сопротивления между электродами можно определить состояние памяти — включенное или выключенное. С одним слоем оксида титана, имеющим в обычных условиях свойства изолятора, память переключается в выключенное состояние. Прикладывая напряжение к перемычке, кислородные вакансии переходят в слой оксида титана без специального покрытия, и устройство переключается во включенное состояние. Аналогично, изменив направление тока, кислородные вакансии возвращаются обратно, и устройство "выключается". Большое преимущество мемристора в том, что изменения сопротивления энергонезависимы и сохраняются до тех пор, пока не будет подано обратное напряжение. На данный момент, время переключения оставляет около 50 нс. "Ученые долгое время работали над материалами, способными изменять сопротивление подобно мемристорам, но были неизвестны причины такого поведения", — говорит Стюарт. "Наша демонстрация дает этому механизму очень серьезное обоснование. Мы знаем что при этом происходит — кислородные вакансии изменяют характеристики контакта металл-оксид." Тем не менее, знание того, что кислородные вакансии изменяют сопротивление оксида титана недостаточно для проведения технических испытаний над материалом. Исследователям также необходимо было детальное описание параметров этого материала. Первоначально предполагалось, что кислородные вакансии являются причиной объемных свойств металл-оксидного материала. Теперь же известно, что изменения в наноструктуре контакта оксида и металла в электроде оказывают большее влияние на изменение сопротивления мемристора. "Мы доказали экспериментально, что кислородные вакансии изменяют электронный барьер контакта металл-оксид", — сказал Стюарт. Исследователи также утверждают, что мемристорный материал работает благодаря снижению барьера Шоттки (электронный барьер контакта между металлом и полупроводником), а не из-за изменения объемных характеристик оксида титана. Исследователи разработали решение для выполнения детального исследования взаимодействий между слоями мемристора, размещая экспериментальный образец на чипе горизонтально, а не вертикально. "Мы использовали монокристаллический оксид титана, чтобы встроить мемристор в полупроводниковый прибор с вертикальной структурой", — сказал исследователь HP Labs Джош Янг (Josh Yang). Таким путем мы можем исследовать взаимодействие слоев отдельно и определить какой их них оказал влияние на свойства мемристора. HP Labs изготовила горизонтальные устройства в нескольких конфигурациях для полного описания свойств мемристора. Горизонтальные устройства также позволяют оценить электрические параметры каждого слоя в различных условиях, создавая базу знаний для постройки основанных на мемристорах КМОП-полупроводников. "Теперь мы знаем как проектировать новые устройства, имеющие особые электрические характеристики", — сказал Янг. "Например, для выключения мемристора положительным напряжением слой оксида титана должен располагаться сверху. Для включения мемристора этим же напряжением слои нужно поменять местами". Прототип представленных HP Labs чипов будет использоваться в RRAM. Металлические линии, расположенные между собой на расстоянии менее 50 нм, служат нижними электродами, а в верхнем электроде они выстроены перпендикулярно. Между металлическими линиями инженеры планируют поместить двойной слой диоксида титана, один из слоев будет иметь покрытие из кислородных вакансий, а другой — нет. Пуская ток между двумя металлическими линиями — одна находится сверху, другая снизу — устройство может адресовать индивидуальный битовый элемент, изменяя их сопротивление. HP Labs планирует представить прототип RRAM-микросхемы на мемристорах в 2009 году. Это также потребует использования перемычек для точного фиксирования изменения сопротивления в микросхеме. Утверждается, что массив из мемристоров с настраиваемыми сопротивлениями может обучаться подобно человеческому мозгу. В мозге синапс всякий раз усиливается, когда по нему протекает ток. Таким же образом понижается сопротивление, когда по мемристору протекает ток. Такие нейронные сети могут учиться приспосабливаться, пуская ток любом необходимом направлении. "Создание RRAM-памяти — наша ближайшая цель, но в более отдаленной перспективе мы хотим преобразовывать вычисления с помощью адаптивных контролирующих контуров с функцией обучения", — говорит Стюарт. Аналоговые цепи, использующие электронный синапс, потребуют 5 лет исследований. По оценкам разработчиков, через 5 лет появятся первые прототипы аналоговых мемристоров, их коммерческое применение начнется приблизительно через 10 лет. (C)_3dnews.ru |
Elpida Memory представила «самую энергоэффективную» память DDR3 SDRAM
BESS! @ 16:47 Elpida Memory сегодня объявила о разработке и выпуске, как отмечается, самой энергоэффективной памяти плотностью 1 Гбит. Новая 65-нм память относится к DDR3 SDRAM и характеризуется высокой скоростью работы — 2 Гбит/с. _http://www.ixbt.com/short/images/2008-07-15_DDR3_2Gbps_s.jpg В ассортименте компании имеется несколько видов новой памяти, отличающейся таймингами и частотой работы. Память DDR3-1600, как отмечается, имеет напряжение питания 1,5 В и потребляет при этом энергии на 35% меньше, чем продукты предыдущего поколения. Наиболее энергоэффективной 1-Гбит памятью называется дополнение к этой линейке памяти версия с напряжением питания 1,35 В и частотой 1600 МГц. Характеристики новой памяти:
Источник: Elpida Memory (C)_www.ixbt.com |
4-гигабайтный комплект модулей Apacer DDR2-1066
великолепный разгонный потенциал при минимальном повышении напряжения и нечто странное в SPD "Очевидно, что развитие оперативной памяти в направлении новых стандартов временно приостановилось. Компании Intel не удалось убедить потребителей форсировать переход на DDR3, что и не удивительно — желающие просто ради «прогресса» платить гораздо больше и получать в результате ту же самую производительность находятся в явном меньшинстве (из-за ограничения системной шины на интеловской платформе, которая даже для процессора с FSB1600 соответствует по пропускной способности возможностям всего лишь двухканальной DDR2-800, даже не DDR2-1066). Для AMD-платформы такого ограничения нет, однако и собственно поддержку DDR3 в контроллер памяти (встроенный в данном случае, в процессор), планируется добавить лишь в конце нынешнего или начале следующего года. Но вопрос даже не столько в архитектуре процессоров, сколько в том, что пользовательские приложения, включая и многие профессиональные, в массе своей не слишком сильно нуждаются в расширении пропускной способности памяти, равно как, например, не способны загрузить все ядра четырехъядерных процессоров. Но означает ли это, что четырехъядерные процессоры, как и наращивание пропускной способности подсистемы памяти, на текущем временном отрезке оправдано лишь для сегмента суперкомпьютеров и серверов? Не совсем так. Ведь многоядерные процессоры для настольных компьютеров предлагаются в первую очередь для повышения комфорта многозадачной среды (и действительно на это способны). И даже если пользовательские задачи не создают интенсивные потоки данных, то, как минимум, будучи запущенными одновременно, увеличивают требования к объему оперативной памяти. Поскольку, если уж мы задались целью получить «отзывчивую» многозадачную среду, первое, что приходит на ум — устранить торможения, вызванные подкачкой данных с винчестера. Пожалуй, именно на внимание активных пользователей, знающих для чего нужен большой объем памяти, и желающих при этом не проиграть в скоростных характеристиках и ориентированы 4-гигабайтные комплекты DDR2-1066. Своего рода «хит» нынешнего сезона, если обратить внимание на дружное появление таких комплектов в линейках фактически всех известных (и не очень известных) производителей модулей памяти. Мы для разнообразия рассмотрим модули от компании Apacer, чья продукция на российском рынке известна очень давно, но модули памяти в гораздо меньшей степени, чем флэш-память, плееры, карт-ридеры и прочие сопутствующие товары." |
Модули памяти для Sculltraill от Silicon-Power
17 июля 2008, 11:13 Тайваньская компания Silicon-Power приступила к выпуску модулей оперативной памяти для геймерской платформы Skulltrail. Модули памяти DDR2-800 FB-DIMM (FB - Fully Buffered) будут выпускаться в двух исполнениях: емкостью 1 Гбайт и емкостью 2 Гбайт. http://www.thg.ru/technews/images/si...imm-170708.jpg Модули базируются на чипах памяти с корпусировкой FBGA (Fine Ball Grid Array). В этих модулях реализована технология AMB (Advanced Memory Buffer), значительно повышающая стабильность работы модулей памяти за счёт коррекции их ошибок в режиме реального времени. Модули памяти прошли сертификацию на работу при частоте 800 МГц и напряжении питания 1,8 В с задержкой CL5. Память обеспечивается пожизненной гарантией. (C)_www.thg.ru |
Набор памяти G.Skill PI Series DDR2-1200 CL5 на 4 Гб
17.07.2008 [21:13], Руслан Цап Компания G.Skill официальным пресс-релизом уведомила общественность о появлении в её продуктовой линейке PI Series нового 4-гигабайтного набора F2-9600CL5D-4GBPI, состоящего из пары 240-контактных DIMM-модулей памяти DDR2 PC2-9600, функционирующих на частоте 1200 МГц с задержками 5-5-5-15. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/16/88762.jpg Как сообщается, входящие в данный комплект планки сформированы на 8-слойных печатных платах, характеризуются напряжением питания 2,1 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. Кроме того, отмечается, что для поддержания оптимального температурного режима изделий в них применены фирменные двухсторонние алюминиевые RAM-кулеры пассивного типа охлаждения с особой формой теплораспределительных пластин, благодаря которой удалось значительно улучшить эффективность рассеивания выделяемого тепла. Вот только пока точно не известно, когда и по какой именно цене описанный выше продукт появится в продаже. (C)_3dnews.ru |
Серверная память DDR2-800 FB-DIMM от Silicon Power
19.07.2008 [12:48], Руслан Цап Компания Silicon Power объявила о расширении ассортимента предлагаемых ею продуктов за счёт выпуска новых 240-контактных модулей памяти DDR2-800 FB-DIMM ёмкостью 1 и 2 Гб, специально оптимизированных для эффективного использования в высокопроизводительных серверных системах на базе чипсета Intel 5400. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/17/88863.jpg Как сообщается в опубликованном официальном пресс-релизе, данные планки сформированы на 8-слойных печатных платах, основаны на высококачественных брендовых чипах с корпусировкой Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA) и построены в полном соответствии с требованиями стандартов JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). При этом изделия функционируют на частоте 800 МГц с задержками CL5, характеризуются напряжением питания 1,8 В и для поддержания оптимального температурного режима оборудованы алюминиевыми радиаторами особой конструкции. Кроме того, особо отмечается, что решения снабжены передовой технологией Advanced Memory Buffer (AMB), которая значительно повышает стабильность их работы за счёт коррекции в режиме реального времени ошибок, найденных в процессе передачи информации. Вот только о стоимости и сроках начала массовых продаж новинок разработчики пока каких-либо сведений не предоставили. (C)_3dnews.ru |
Память Patriot Signature DDR3-1066 SO-DIMM для Montevina
22.07.2008 [09:55], Руслан Цап Компания Patriot Memory решила последовать примеру своих "коллег по цеху" и тоже анонсировала выпуск собственных модулей памяти DDR3 PC3-8500 SO-DIMM, которые вошли в продуктовую линейку Signature и предназначены для использования в портативных компьютерах, построенных на базе недавно официально представленной передовой мобильной платформы Intel Centrino 2 (кодовое название Montevina). http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/20/88989.jpg Как сообщается в опубликованном пресс-релизе, данные планки функционируют на частоте 1066 МГц с задержками CL5 и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. При этом изделия предлагаются как поштучно в модификациях объёмом 1 или 2 Гб, так и в виде наборов общим объёмом 4 Гб. Что же касается стоимости и времени вероятного появления новых продуктов в продаже, то на сей счёт какой-либо информации от разработчиков пока не поступало. (C)_3dnews.ru |
Новинка Numonyx заменяет память типа NOR, NAND и RAM
Accent @ 12:27 Компания Numonyx B.V. представила семейство продуктов NV-RAM под названием Velocity LP. По словам компании, это самая быстрая в отрасли энергонезависимая память с малым энергопотреблением и передачей данных по фронту и срезу тактовых импульсов (LPDDR). Она предназначена для сотовых телефонов и другой потребительской электроники. Новая память по скорости чтения в два-три раза опережает традиционно используемую в таких приложениях флэш-память типа NOR. Кроме того, она представляет собой экономичную альтернативу платформам, в которых используется большой объем DRAM. Немаловажно, что семейство Velocity LP NV-RAM обеспечивает плавный путь миграции к подготавливаемым к выпуску продуктам Numonyx, в которых будет использоваться эффект фазового перехода (PCM). Как известно, сейчас конструкторы мобильной электроники вынуждены одновременно применять несколько видов памяти — NOR, NAND и RAM. Каждый из них требует собственной аппаратной и программной «обвязки», что неминуемо заставляет идти на компромиссы и повышает стоимость изделий. Память Numonyx Velocity LP NV-RAM объединяет возможности разных типов памяти, позволяя упростить и удешевить продукцию. Память Numonyx Velocity LP NV-RAM соответствует стандарту JEDEC Low Power Double Date Rate (LPDDR) NVM, принятому в ноябре прошлого года. Источник: Numonyx B.V. Aeneon выпустила производительную память DDR3 SO-DIMM для ноутбуков BESS! @ 14:22 Компания Aeneon, партнер производителя памяти Qimonda, объявила о выходе новой памяти стандарта DDR3 SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Modules), которая имеет высокую производительность и предназначена для работы с новыми ноутбуками на базе платформы Intel Centrino 2. _http://www.ixbt.com/short/images/aeDDR3-1066_SO-DIMM.jpg Как отмечается, Aeneon одной из первых представила на рынке память в модулях SO-DIMM ёмкостью 1 ГБ и 2 ГБ, удовлетворяющую требованиям стандарта DDR3-1066. Новая память имеет плотность чипов 1 Гбит и, как отмечается, является энергоэкономичной. Рабочие тайминги — 7-7-7-21, напряжение питания — 1,5 В. Начало массовых поставок компания планирует начать в августе этого года. Кроме новой памяти DDR3 у Aeneon есть в её портфолио также память для ноутбуков класса DDR2-800 SO-DIMM (AET860SD00-25D). Источники: Aeneon, VR-Zone (C)_www.ixbt.com |
Walton Chaintech выпустила низковольтную память APOGEE GT Blazer DDR3 1800
BESS! @ 17:18 Компания Walton Chaintech, вслед за выпуском в июне памяти серии APOGEE GT (DDR3-1600 и DDR3-1800), которая, соответственно, работала на частоте 1600 и 1800 МГц при напряжении питания 1,8 и 1,9 В, представила еще один набор общим объемом 4 ГБ. _http://www.ixbt.com/short/images/DDR3-1800-All.jpg Вновь представленная память APOGEE GT Blazer DDR3 1800 4GB Low Voltage имеет весьма похожие характеристики. Как и в случае с представленной ранее памятью DDR3, она поддерживает профайлы EPP 2.0, но может работать при более низком напряжении — 1,8 В. Тайминги новой памяти повторяют значения, приводимые ранее для модулей DDR3-1800 — CL 8-8-8-24. Источником сообщается, что в памяти серии APOGEE GT Blazer (8 слоев PCB, 16 FBGA-микросхем Samsung 128x8) достигнут хороший баланс высокой производительности при низком напряжении питания. Производительность памяти при операциях чтения (пропускная способность памяти, ПСП) в популярном тестовом пакете EVEREST составила 28,8 ГБ/с. С каждой вновь выпущенной моделью памяти, как правило, растет и рабочая частота памяти, а следовательно, ее нужно охлаждать. Для этих целей у производителя имеется запатентованный, высокопроизводительный радиатор — Cool It Smart. Источник: VR-zone (C)_www.ixbt.com |
Три цвета: черный, белый, красный — новые 4-ГБ наборы модулей памяти DDR2 Mushkin X-Line
Accent @ 15:35 Ассортимент компании Mushkin, специализирующейся на высокопроизводительной компьютерной памяти и блоках питания, пополнился тремя наборами модулей памяти 2x 2 ГБ DDR2. Особенностью новинок является применение оригинальных печатных плат, не привычного зеленого цвета, а черного. Кроме того, разные модели серии X-Line получили радиаторы разных цветов. Видимо, по замыслу компании, внешний вид модулей может сыграть роль дополнительного фактора при выборе памяти. Такая точка зрения имеет под собой основания, поскольку многие компьютерные энтузиасты собирают системы в корпусах, обеспечивающих обзор расположенных внутри компонентов, и мало что способно так согреть увлеченную душу, как удачно подобранное сочетание цвета печатных плат, радиаторов и кабелей. Для тех, кто интересуется не только цветом, но и производительностью компонентов, компания приводит некоторые данные модулей памяти, входящих в наборы X-Line (напомним, объем памяти каждого набора равен 4 ГБ): _http://www.ixbt.com/short/images/11a_002.jpg 996580X (черные радиаторы) — XP2-6400, 4-4-4-12, EPP; _http://www.ixbt.com/short/images/11b_002.jpg 996580wX (белые радиаторы) — XP2-6400, 4-4-4-12, EPP; _http://www.ixbt.com/short/images/11c.jpg 996593X (красные радиаторы) — XP2-8000, 5-5-5-15, EPP; Источник: Mushkin (C)_www.ixbt.com |
Оперативная память Crucial Ballistix в вариантах DDR3-1333 и DDR3-1800
26.07.2008 | 00:12 | IvTK Оверклокерам со стажем наверняка знаком замечательный разгонный потенциал чипов памяти от Micron Technology. Клиентами компании являются многие производители модулей RAM, в т.ч. основанная самой Micron фирма Lexar Media. Накануне маркетинговый отдел последней объявил о выпуске новой серии линеек DDR3 с рабочими частотами 1333 и 1800 MHz. http://www.overclockers.com.ua/news/...x-DDR3-kit.jpg Память Crucial Ballistix DDR3 PC3-10600 уже поступила в розничную сеть по рекомендованной цене $172 за двухгигабайтный комплект или по $86 за 1 GB модуль. Продукт имеет 240-контактное исполнение, эффективную частоту 1333 MHz и формулу задержек 6-6-6-20. Рабочее напряжение микросхем составляет 1,8 V, что несколько выше рекомендованных JEDEC стандартных значений 1,5 V (DDR3) и 1,35 V (DDR3L). О спецификациях Ballistix DDR3 PC3-14400, к сожалению, пока ничего не известно. Кроме вышеупомянутых изделий, под маркой "Crucial Ballistix" продаются планки DDR третьего поколения номиналом в 1600 и 2000 мегагерц. С их характеристиками вы можете ознакомиться в следующей сравнительной таблице: http://www.overclockers.com.ua/news/...-kit-specs.png (C)_www.overclockers.com.ua |
4 Гб памяти APOGEE GT Blazer DDR3-1800 от Chaintech
27.07.2008 [15:37], Руслан Цап Пресс-служба компании Walton Chaintech анонсировала выпуск нового набора высокопроизводительной памяти APOGEE GT Blazer DDR3-1800, состоящего из пары 240-контактных DIMM-модулей общим объёмом 4 Гб. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/25/89820.jpg Как сообщается, входящие в данный комплект планки построены на 8-слойных печатных платах в полном соответствии с требованиями стандартов JEDEC и основаны на высококачественных чипах памяти Samsung со схемой организации 128Mх8 и корпусировкой FBGA. При этом особо указывается на то, что изделия снабжены поддержкой EPP 2.0, функционируют на частоте 1800 МГц с задержками CL 8-8-8-24 и характеризуются напряжением питания 1,8 В, тогда как понижением их температуры занимается фирменная система охлаждения Cool It Smart. Напоследок сообщим, что, по мнению разработчиков, целевой аудиторией для их детища в первую очередь являются наиболее взыскательные пользователи, увлекающиеся современными 3D-играми, экспериментирующие с экстремальным разгоном своих настольных компьютерных систем либо активно работающие с очень ресурсоёмкими программными приложениями. В продаже новый продукт появится уже в следующем месяце, однако его ориентировочная стоимость пока не уточняется. (C)_3dnews.ru |
Модули памяти Aeneon DDR3 SO-DIMM для мобильной платформы Centrino 2
01 августа 2008, 15:22 Aeneon, бренд компании Qimonda, ориентированный на дистрибьюторов и розничную торговлю, объявил о начале производства модулей памяти DDR3-1066 SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Modules), обеспечивающих энергосбережение и высокую производительность новой серии ноутбуков с памятью DDR3 на базе Intel Centrino 2. http://www.thg.ru/technews/images/ae...00s-010808.jpg Aeneon стал одним из первых брендов, ориентированных на розничные компании, представивших на рынке модули памяти DDR3-1066 SO-DIMM объёмом 1GB и 2GB. Рабочие тайминги модулей памяти: 7-7-7-21, а напряжение питания - 1,5 В. Модули памяти Aeneon DDR3 SO-DIMM появятся в розничной продаже в августе 2008 года. (C)_www.thg.ru |
DDR3-2580: новый рекорд разгона памяти Corsair
Lexagon / 03.08.2008 10:13 / ссылка на материал / версия для печати Подобно тому, как производители массовых малолитражек вкладывают средства в содержание собственных команд "Формулы 1", некоторые производители оверклокерской памяти выступают спонсорами отдельных энтузиастов, устанавливающих рекорды с использованием их продукции. Очевидно, именно по такой схеме компанией Corsair Memory на прошедшей неделе был установлен новый мировой рекорд разгона памяти типа DDR-3. Впрочем, сам производитель утверждает, что эксперимент проводился в собственной лаборатории. Модуль памяти типа DDR3-1333 с задержками 9-9-9-24 был разогнан в материнской плате Asus Rampage Extreme (Intel X48) до частоты 2580 МГц DDR. Это на 118 МГц выше, чем предыдущий рекорд Corsair, установленный в конце мая текущего года. http://www.overclockers.ru/images/ne...03/corsair.png По словам Corsair, добиться такого прироста удалось за счёт охлаждения всей тестовой платформы до температуры минус 20 градусов по Цельсию. Очевидно, материнскую плату просто поместили в "морозилку". Кстати, процессор Core 2 Duo E8400 в ходе эксперимента был разогнан до 645 МГц по шине. Рекорд официально зафиксирован здесь. (C)_www.overclockers.ru |
Elpida готовит 16 Гб модули памяти DDR2 FB-DIMM
05.08.2008 [17:20], Руслан Цап По данным сетевого ресурса TechConnect Magazine, компания Elpida в ближайшее время собирается вывести на рынок новые модули памяти DDR2 FB-DIMM, которые будут обладать рекордной на сегодняшний день ёмкостью 16 Гб. Как сообщается, разработчики намерены выпустить планки PC2-6400F и PC2-5300F, функционирующие на частоте 800 МГц и 667 МГц соответственно. При этом отмечается, что решения толщиной всего 7,7 мм построены на базе характеризующихся низким энергопотреблением чипов памяти DDR2 DRAM ёмкостью 2 Гбит с корпусировкой FBGA и для обеспечения оптимального температурного режима оборудованы фирменными радиаторами особой конструкции. Ожидается, что поставки первых пробных образцов изделий, предназначенных для применения в высокопроизводительных серверных системах и мощных рабочих станциях, начнутся уже в этом месяце, тогда как массовый выпуск новых модулей стартует в четвёртом квартале текущего года. (C)_3dnews.ru |
Память Apacer DDR3-1333/1066 SO-DIMM для Intel Centrino 2
06.08.2008 [13:03], Руслан Цап Пресс-служба компании Apacer Technology объявила о выпуске новых модулей памяти DDR3 SO-DIMM объёмом 1 и 2 Гб, которые предназначены для использования в портативных компьютерах, построенных на базе передовой мобильной платформы Intel Centrino 2 (кодовое название Montevina). http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/08/05/90869.jpg Как сообщается, потребителям будут доступны два типа 204-контактных планок, одни из которых функционируют на частоте 1333 МГц с задержками CL9, а другие работают на частоте 1066 МГц с таймингами CL7. При этом в обоих случаях изделия характеризуются напряжением питания 1,5 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. О цене и сроках начала массовых продаж вышеуказанных продуктов пока ничего не известно. (C)_3dnews.ru |
| Часовой пояс GMT +4, время: 13:07. |
Powered by vBulletin® Version 3.8.5
Copyright ©2000 - 2025, Jelsoft Enterprises Ltd.