Трехзатворные транзисторы появятся в микросхемах Intel к 2007 г
 

http://www.bape3.org/img/intel.gif

Компания Intel объявила о том, что ее технология трехзатворных транзисторов выходит из стадии лабораторных исследований и готовится к внедрению в производство.

Процесс займет несколько лет, и появления первых чипов на базе новых транзисторов можно ожидать к 2007 г. Об этом сообщил руководитель исследовательского отдела подразделения Technology Manufacturing Group Кен Дэвид, выступая на симпозиуме VLSI в Киото, в Японии. По словам Дэвида, в ближайшие год-два компания выработает единый подход к внедрению трехзатворных транзисторов в коммерческих чипах, а затем начнет внедрение этой технологии сначала в опытное, а затем и в массовое производство.

Напомним, что трехзатворный транзистор отличается от обычного полевого наличием сразу трех затворов — элементов, управляющих прохождением тока. При открытом затворе ток протекает (транзистор включен), а при закрытом — не протекает (транзистор выключен). С ростом степени миниатюризации затворы стали страдать от проблемы утечки тока, приводящей к ложным срабатываниям и росту энергопотребления. С этой проблемой можно бороться несколькими путями, например, с помощью технологии кремний-на-изоляторе (SOI). Другим вариантом является увеличение площади затвора, чего инженеры добиваются, размещая на одном транзисторе несколько затворов.

В IBM и AMD ведут работы над транзисторами с двумя затворами, а в Intel предпочли трехзатворную схему.

В рамках лабораторных исследований специалисты Intel создали трехзатворные транзисторы с затворами размером около 30 нм. К моменту промышленного внедрения технологии чипы Intel будут выпускаться по 45-нанометровой технологии. Размеры же транзисторных затворов составят около 20 нм. Таким образом, в Intel рассчитывают продолжить и далее следовать духу и букве закона Мура, по которому число транзисторов в чипах должно удваиваться каждые два года.