Вдвое больше DDR2 Samsung
17/03/2006 17:08, Алексей Талан
Новое слово в технологии изготовления модулей памяти DDR2 сказала Samsung. Компания собирается наладить производство DDR2-чипов с учётом 80-нм техпроцесса, пока что модули ОЗУ выпускаются по 90-нм нормам. На фото ниже - 2 Гбит 80-нм модули DDR1, изображения 80-нм DDR2 компания пока не показывает.
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/03/15/15498.jpg
Переход на более совершенную технологию позволит повысить эффективность работы заводов на 50%, считает руководство Samsung. Серьёзно переоборудовать конвейеры не придётся, инженеры разработали подход "half-node", который позволит сохранить существующую инфраструктуру. Тот же метод "half-node" собирается применять и тайваньская фабрика TSMC, выпускающая графические чипы для NVIDIA и ATI. Новые 80-нм 512 Мбит DDR2 чипы будут включать трёхмерный транзисторный дизайн, RCAT (recess channel array transistor).
"С момента дебюта DDR2 в 2004 спрос на память сильно вырос и продолжает расти (судите сами, вскоре не только Intel, но и AMD платформы станут требовать DDR2). Новая 80-нм технология позволит нам следовать за требованиями рынка DDR2 в этом году", - заявил маркетинговый DRAM директор Samsung Том Трилл.
(C)_3dnews.ru