|
Buffalo: память DDR3 "D3/1066 series" и "D3/1066X2 series" будет выпущена еще до конца этого месяца
BESS! @ 15:57
Сегодня японская компания Buffalo сообщила о том, что еще до конца апреля начнет поставки высокоскоростных модулей памяти следующего поколения (DDR3): "D3/1066 series" и "D3/1066X2 series".
_http://www.ixbt.com/short/images/d3_1066-1g_t_bw.jpg
Память Buffalo "D3/1066 series" и "D3/1066X2 series" будет доступна в наборах из 512 и 1024-Мб модулей. Она имеет пониженное относительно DDR2 энергопотребление (примерно на 40%), а ее рабочее напряжение составляет 1,5 В (против 1,8 В у DDR2).
Ассортимент новой памяти будет представлен в таком виде:
D3/1066-512M: 1066 МГц SDRAM (PC3-8500) 240Pin DIMM / 512 Мб — 315 долл.
D3/1066-1G: 1066 МГц SDRAM (PC3-8500) 240Pin DIMM / 1024 Мб — 595 долл.
D3/1066-512MX2: 1066 МГц SDRAM (PC3-8500) 240Pin DIMM / 512 Мб ×2 — 630 долл.
D3/1066-1GX2: 1066 МГц SDRAM (PC3-8500) 240Pin DIMM / 1024 Мб ×2 — 1140 долл.
Такие модули памяти будут востребованы в ПК на основе платформ с чипсетом Intel Bearlake (в середине 2007 года), а также в ПК на платформах компании AMD, которые должны появиться в 2008 году.
Источник: Buffalo
И снова о DDR3
Bugz @ 15:17
Как мы знаем, память типа DDR3 появится уже в следующем квартале. По понятным причинам, наиболее заинтересована в её продвижении компания Intel и производители памяти. Как известно, одним из достоинств DDR3 является пониженное энергопотребление. Так, память DDR3-800, DDR3-1067 и DDR3-1333 потребляет на 28%, 17% и 5% меньше энергии, чем DDR2-800, соответственно:
_http://www.ixbt.com/short/images/ddr3-power.jpg
Если верить Ким Гйоу Джунг (Kim Gyou Joong), представителю компании Samsung Electronics, DDR3 будет быстрее DDR2 благодаря меньшим значениям CAS. По его словам, DDR2-533 (CL 4-4-4), DDR2-667 (CL 5-5-5) и DDR2-800 (CL6-6-6) имеют CAS, равную 15 нс. В то же время, CAS для DDR3-1066 (7-7-7), DDR3-1333 (8-8-8), и DDR3-1600 (9-9-9) будет равны 13,125 нс, 12 нс и 11,25 нс. Ведь, чем выше рабочая частота памяти, тем короче каждый цикл, а, значит, и общая задержка.
_http://www.ixbt.com/short/images/ddr3-latency-imporvement.jpg
Конечно же, данное сравнение нельзя назвать корректным, оно может служить лишь дополнением к тому факту, что DDR3 позволяет поднять "частотный потолок" памяти. Вряд ли DDR3-800 будет быстрее DDR2-800 в общем случае.
В соответствии с планами Samsung, чипы DDR3-800/1066 будут выпущены на рынок уже в текущем квартале, а DDR3-1666 - в третьем квартале 2007 года. DDR3-800/1066 для мобильных приложений увидит свет лишь в первом квартале 2008 года, а DDR3-1333 - в начале 2009 года.
_http://www.ixbt.com/short/images/ddr3-hb.jpg
По мнению Intel, DDR3 станет основной технологией памяти для ПК в 2009 году. С ней согласна и аналитическая компания iSuppli.
Источник: HKEPC
(C)_www.ixbt.com
|