Память Hynix типа DDR-3 проходит сертификацию Intel
Lexagon / 02.05.2007 08:22 / ссылка на материал / версия для печати
Первые модули памяти типа DDR-3 уже появились в японских магазинах. Торопиться покупать их особого смысла нет, поскольку цены ещё высоки, а совместимых материнских плат в продаже нет. Тем не менее, этот прецедент может говорить о начале поставок памяти типа DDR-3 на рынок. Как же обстоят дела с официальной сертификацией памяти этого типа?
Сайт DigiTimes вчера сообщил, что компания Hynix получила от Intel сертификат одобрения на свои 80 нм микросхемы DDR-3 плотностью 1 Гбит, используемые для производства небуферизованных модулей памяти DDR3-800 (5-5-5 и 6-6-6) и DDR3-1066 (7-7-7) объёмом 1 Гб и 2 Гб. Эти модули работают при номинальном напряжении 1.5 В, уровень энергопотребления снижен на 25% по сравнению с памятью типа DDR-2.
Массовое производство памяти типа DDR-3 компания Hynix планирует развернуть в третьем квартале этого года. К концу 2007 года Hynix начнёт переход на 66 нм техпроцесс. По оценке аналитического агентства iSuppli, к концу 2008 года доля DDR-3 в общих объёмах поставок оперативной памяти достигнет 25%, в 2010 году DDR-3 начнёт доминировать. Очевидно, что в этом году спрос на DDR-3 будет относительно вялым, большинство производителей материнских плат готово в первую очередь предложить продукты на базе Intel P35 с поддержкой DDR-2, и только потом думать о поддержке DDR-3 силами этого чипсета.
(C)_www.overclockers.ru
|