Intel сертифицировала 50-нм DDR2-память Samsung
19.07.2007 [20:12], Александр Будик
В октябре прошлого года мы сообщали о разработке компанией Samsung 50-нм технологического процесса для производства микросхем оперативной памяти типа DDR2 DRAM. На днях 50-нм гигабитные чипы южнокорейского производителя прошли сертификацию компании Intel, которая подтверждает совместимость с её современными чипсетами, а также продуктами следующего поколения (вероятно, речь о чипсетах семейства Intel 3 Series) при работе со скоростью 800 Мбит/с.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/07/19/54310.jpg
Отмечается, что переход с 80-нм на 50-нм техпроцесс удвоит эффективность производства микросхем DDR2-памяти. В сравнении с 60-нм техпроцессом новая технология позволяет повысить продуктивность на 50%.
Массовый выпуск DDR2-чипов по 50-нм техпроцессу стартует в первой половине 2008 года. Новая технология будет также внедрена в производство микросхем типа DDR3, GDDR4, GDDR5 и Mobile DRAM.
(C)_3dnews.ru