[grogi]

Elpida освоит выпуск памяти по 65 нм технологии в этом году
Lexagon / 13.08.2007 13:56 / ссылка на материал / версия для печати
Как и в производстве любых полупроводниковых изделий, при выпуске микросхем оперативной памяти техпроцессы сменяют друг на друга. Переход на более "тонкие" технологические нормы позволяет не только снизить себестоимость производства памяти, но и повысить её плотность. В результате модули памяти больших объёмов становятся дешевле в производстве, заодно снижается и энергопотребление.

Компания Elpida освоила 70 нм техпроцесс ещё в декабре прошлого года, чуть раньше об освоении 60 нм техпроцесса отчиталась компания Hynix. Теперь настал черёд Elpida заявить о переходе на следующий технологический процесс. Отчёт о покорении 65 нм рубежа появился на страницах одного японского сайта, как сообщает британский ресурс The Inquirer.

Elpida собирается освоить производство микросхем памяти по 65 нм техпроцессу в текущем финансовом году на своих мощностях в Хиросиме, Япония. По мере наращивания объёмов производства выпуск 65 нм микросхем памяти будет освоен в сотрудничестве с тайваньским партнёром Elpida по имени Rexchip.

Надеемся, что очередная технологическая модернизация позволит снизить цены на ёмкие модули памяти типа DDR-2 и DDR-3. Впрочем, разница между 70 нм и 60 нм техпроцессами не так велика, чтобы говорить о существенном выигрыше в себестоимости.

Hynix тоже получает лицензию на использование Z-RAM
Lexagon / 13.08.2007 14:46 / ссылка на материал / версия для печати
Компания AMD уже приобрела лицензию на использование технологии Z-RAM второго поколения, но пока так и не решила, в каких продуктах и когда найдёт применение память этого типа. Было лишь заявлено, что при производстве кэш-памяти 65 нм процессоров технология Z-RAM использоваться не будет. Кстати, компания IBM решила оснащать свои 45 нм процессоры кэш-памятью типа eDRAM. Нельзя исключать, что использующая разработки IBM компания AMD последует этому примеру, сохранив лицензию на Z-RAM для других целей.

Недавно на горизонте появился ещё один претендент на использование технологии Z-RAM. Как сообщает сайт TG Daily, им стала компания Hynix Semiconductor, являющаяся крупным производителем оперативной памяти. Разработчик технологии Z-RAM, компания Innovative Silicon, будет на протяжении последующих двух лет помогать Hynix разработать продукты, совместимые с сегодняшними конструктивными исполнениями, присущими памяти типа DRAM.

Hynix уже целый год присматривается к технологии Z-RAM, и проявляет серьёзный интерес к этому ноу-хау. От момента лицензирования до внедрения технологии в массовых продуктах обычно проходит три года. Стало быть, к 2010-2011 годам мы можем увидеть первые продукты, созданные с помощью технологии Z-RAM.

По сравнению с памятью типа SRAM, память типа Z-RAM обладает в пять раз большей плотностью. По сравнению с DRAM этот показатель у Z-RAM выше в два раза. Z-RAM может потреблять то же количество электроэнергии, что и DRAM, но при этом быть быстрее и компактнее в размерах. Сейчас образцы Z-RAM могут работать на частоте 500 МГц - это не так много, но при равной площади память типа Z-RAM может иметь в пять раз больший объём.

Z-RAM требует в производстве более простого оборудования и более простых технологических процессов по сравнению с DRAM. Производить Z-RAM можно только с использованием технологии SOI. Предполагается, что память типа Z-RAM найдёт применение в модулях оперативной памяти, процессорах и продуктах с высокой степенью интеграции. Нельзя исключать, что последними могут быть и гибридные процессоры класса Fusion.

(C)_www.overclockers.ru