GEIL тоже предложит память с радиатором на тепловой трубке
Lexagon / 19.08.2007 12:01 / ссылка на материал / версия для печати
Основательно прижившись в процессорных кулерах и системах охлаждения видеокарт, тепловые трубки начали экспансию в сфере систем охлаждения оперативной памяти. Соответствующие решения можно найти как в ассортименте продукции производителей систем охлаждения, так и непосредственно на модулях памяти крупнейших производителей оверклокерских продуктов.
Если верить сообщениям сайта TechConnect Magazine, компания GEIL тоже готовит к анонсу продукты с интегрированной системой охлаждения, использующей тепловую трубку. Этот кулер для памяти из алюминиевых пластин, тепловой трубки и медного радиатора разработан тайваньской компанией CompTake.
http://www.overclockers.ru/images/ne...19/geil_01.jpg
Сообщается, что такими радиаторами будут оснащаться модули памяти типа DDR-3, которые GEIL готовит к анонсу. Об эффективности данной системы охлаждения судить по фотографиям сложно, но к её достоинствам следует отнести достаточно малую толщину - при размещении модулей памяти в соседних слотах DIMM этот фактор является решающим.
IBM делает ставку на STT-RAM - новый тип "магнитной" памяти
Lexagon / 20.08.2007 13:54 / ссылка на материал / версия для печати
Одно из направлений дальнейшего развития технологий энергонезависимой памяти мы недавно рассмотрели - это так называемая память с фазовым переходом (PRAM), ставку на которую делает компания Intel и её партнёры. Предполагалось, что конкурентом для PRAM может стать технология MRAM - магнитно-резистивная память, в разработку которой вкладывала средства компания IBM.
Между тем, сайт News.com со ссылкой на представителей IBM сообщил, что технология MRAM довольно плохо масштабируется в рамках перспективных технологических процессов, поэтому IBM решила вести дальнейшие разработки в сфере STT-RAM, которая снимает подобные ограничения. Название памяти STT-RAM содержит сокращение фразы Spin Torque Transfer - "передача спинового вращательного момента". Вращательные моменты электронов упорядочиваются определённым образом, что позволяет изменять направление магнитного поля частиц, из которых состоит память типа STT-RAM. Смена направления магнитного поля приводит к изменению сопротивления элемента, что приравнивается к переходу из состояния "0" в состояние "1".
IBM собирается разрабатывать эту технологию совместно с TDK, первые прототипы должны быть выпущены по 65 нм техпроцессу в ближайшие четыре года. Надо сказать, что технологию STT-RAM также разрабатывает и калифорнийская компания Grandis, которая уже готова поставлять опытные образцы в этом году. По сравнению с технологией MRAM, данное ноу-хау позволяет не только добиться повышения плотности записи информации, но и снизить уровень энергопотребления. Если сравнивать PRAM и STT-RAM, последняя обладает более высоким быстродействием, но первая отличается более высокой плотностью. Кроме того, STT-RAM должна обладать более высокой долговечностью по сравнению с PRAM.
Память типа STT-RAM может получить применение в будущих разработках IBM и её партнёров, одним из которых является и AMD. В любом случае, технология создания памяти типа STT-RAM пока находится на ранней стадии зрелости, поэтому говорить о близости момента её воплощения в жизнь силами IBM пока рано.
(C)_www.overclockers.ru
DDR3-1600 SDRAM: технологический прорыв или маркетинговый пшик?
"Проведённое недавно тестирование платформ, основанных на наборе логики Intel P35 и снабжённых DDR3 памятью, показало, что на данном этапе новая память не может обеспечить видимого преимущества в производительности по сравнению с привычной высокочастотной DDR2 SDRAM. Относительно высокие задержки серийных DDR3 модулей приводят к тому, что память, функционирующая на частоте 1333 МГц, проигрывает в скорости широкодоступной DDR2-1066 c таймингами 4-4-4-12 в достаточно большом числе приложений различного характера. Однако такое положение дел не должно стать поводом для поспешных выводов.
То, что самая скоростная DDR3 SDRAM, официально поддерживаемая чипсетами Intel на данный момент, имеет частоту 1333 МГц и тайминги 7-7-7 ещё ни чего не значит для тех производителей модулей, которые привыкли идти впереди отраслевых стандартов. Если вы следите за новостями, то знаете, что ведущие производители оверклокерских модулей памяти уже поставляют на рынок DDR3-1600 SDRAM и готовятся к началу продаж DDR3-1800. Достижение столь высоких частот стало возможно благодаря стараниям компании Micron, начавшей выпуск чипов Z9, продолжающих традиции знаменитых в среде оверклокеров микросхем DDR2 Micron D9, которые после проведения отбора и повышения напряжения питания оказываются способны к работе на частотах, значительно превышающих штатные. Несмотря на то, что номинально микросхемы Micron Z9 представляют собой чипы DDR3-1066, именно их использование позволило поднятие практических частот DDR3 SDRAM на новый уровень. Это даёт сторонникам всего нового отличный повод для надежды на превосходство DDR3 в производительности над DDR2 в реальных приложениях."