[grogi]

Samsung и Hynix создадут национальную флэш-память...
[26.01.2008 13:55:00]
Правительству Южной Кореи надоело терять ежегодно тысячи долларов в виде лицензионных отчислений американским и японским держателям патентов на чипы DRAM и флэш-памяти, докладывает издание The Korea Times. С целью разработать собственную технологию энергонезависимой памяти, которая неизбежно придёт на смену современной NAND-флэш, государство поощрило компании Samsung и Hynix объединить усилия для разработки национальных технологий производства перспективных полупроводников.
С 2004 года, сообщает источник, запущена соответствующая семилетняя программа с фондом $55.4 млн. Из этой суммы примерно половину средств внесло государство. Компании Samsung и Hynix дополнительно инвестируют в проект $9.5 млн. и сосредоточатся на разработке чипов магниторезистивной памяти MRAM (magnetoresistive random access memory).
До сих пор ведущими компаниями в области создания MRAM-чипов являются японские Toshiba и NEC, американская Cypress и немецкая Infineon. Открыла эффект магнитного туннельного перехода компания IBM, когда работала с тонкоплёночными структурами для создания новых магнитных головок для "винчестеров".
Южнокорейские партнёры планируют разрабатывать подвид магниторезистивной памяти называемый STT-MRAM. Отличие SST-MRAM от "обычной" MRAM заключается в записи информации в ячейку путём влияния на направление вращения спина электронов в ячейке памяти. Упорядочивание ориентации спина электронов потребует меньшего тока, чем запись бита данных путём традиционного накопления заряда в ячейке. Как результат, ячейки STT-MRAM окажутся энергоэффективнее и будут лучше масштабироваться по мере уменьшения техпроцессов.
Автор: GreenCo

(C)_www.fcenter.ru