Память в системах LGA 1366 может работать при напряжениях до 1.875 В?
Lexagon / 18.11.2008 08:14 / ссылка на материал / версия для печати
Одно из первых предостережений, связанных с особенностями работы памяти в системах с разъёмом LGA 1366, гласило о необходимости использования модулей DDR-3 с номинальным напряжением не выше 1.65 В. Считалось, что длительная эксплуатация памяти при более высоких напряжениях может привести к выходу из строя процессора.
Прошу заметить, что некоторые производители памяти отваживались нарушить эти рекомендации, и предлагали модули памяти для Core i7 с возможностью работы при напряжении 1.8 В. Отдельные экспериментаторы на базе личного опыта делали заключения, что непродолжительное повышение напряжения памяти за пределы 1.65 В губительных последствий для процессоров Core i7 иметь не будет.
Самое интересное, что в технической документации Intel по процессорам Core i7 максимально допустимое напряжение для памяти вообще равно 1.875 В! Возможно, Intel рассматривает какие-то дополнительные факторы риска, либо просто делает больший "запас прочности", не рекомендуя превышать напряжение 1.65 В.
Как нам удалось выяснить позднее при помощи сайта Bit-Tech, для сохранения жизни процессору достаточно удерживать разницу между напряжениями "неядерной части процессора" (uncore) и памяти в пределах 0.5 В. Оба параметра устанавливаются в BIOS материнской платы.
(C)_www.overclockers.ru