[ALESSIO]

Crucial предлагает комплекты памяти объёмом 3 х 4 Гб
Анонс платформы LGA 1366 и процессоров Core i7 с интегрированным трёхканальным контроллером памяти стал для производителей памяти шансом привлечь внимание к своей продукции. Кто-то делал упор на низкие тайминги, кто-то - на высокие частоты и умеренное напряжение, другие делали акцент на объёме. Например, компания Samsung уже предлагает микросхемы памяти типа DDR3-1066, на базе которых можно производить модули памяти объёмом 4 Гб.

Компания Lexar Media, которая выпускает оперативную память под торговой маркой Crucial, вчера объявила о доступности своих трёхканальных наборов DDR3-1066 и DDR3-1333 различного объёма. Если комплектами памяти 3 х 1 Гб и 3 х 2 Гб никого удивить невозможно, то наборы DDR-3 объёмом 3 х 4 Гб ещё кажутся экзотикой.

Именно такие комплекты памяти типа DDR3-1066 из трёх регистровых модулей объёмом по 4 Гб предлагает Crucial: они имеют тайминги CL7 и номинальное напряжение 1.5 В, а также поддерживают ECC, что пригодится после анонса серверных процессоров Nehalem в следующем квартале. Стоимость комплекта памяти такого объёма в фирменном интернет-магазине равна $1149. Непосредственно для настольных процессоров Core i7 предназначены модули памяти меньшей ёмкости:

CT3KIT12864BA1339-3GB -> 3 x 1 Гб, DDR3-1333, CL9, 1.5 В, $116.99;
CT3KIT12864BA1067-3GB -> 3 x 1 Гб, DDR3-1066, CL7, 1.5 В, $107.99;
CT3KIT25664BA1339-6GB -> 3 x 2 Гб, DDR3-1333, CL9, 1.5 В, $209.99;
CT3KIT25664BA1067-6GB -> 3 x 2 Гб, DDR3-1066, CL7, 1.5 В, $197.99.

Судя по тому, что Lexar Media является дочерней компанией Micron Technology, для производства модулей памяти Crucial используются микросхемы Micron. На частотах до DDR3-1333 они способны работать при напряжении 1.5 В и значении таймингов CL9.

Кстати, сожалеть об отсутствии в продаже комплектов небуферизованной памяти типа DDR-3 объёмом 3 х 4 Гб вряд ли приходится, поскольку тесты показали, что даже комплект памяти объёмом 3 х 2 Гб не даёт такого прироста быстродействия в играх, который хотели бы видеть производители и продавцы.

Elpida готова выпускать память типа DDR-3 с напряжением 1.2 В
Пример компании Hynix доказывает, что с переходом на более "тонкие" техпроцессы память не только увеличивает частотный потенциал, но и снижает уровень энергопотребления. Кроме того, производитель памяти получает возможность выпускать более плотные микросхемы и экономить на удельной себестоимости.

Компания Elpida сегодня заявила о готовности начать массовое производство микросхем памяти типа DDR-3 по 50 нм технологии в январе-марте 2009 года. Новый 50 нм техпроцесс с использованием иммерсионной литографии и оборудования с длиной волны 193 нм позволяет микросхемы памяти площадью менее 40 кв.мм. Кроме стандартного напряжения 1.5 В, новые микросхемы памяти типа DDR-3 в исполнении Elpida способны работать при напряжениях 1.35 В и 1.2 В. Максимальное снижение энергопотребления достигает 50% по сравнению с микросхемами памяти, выпускаемыми по 70 нм технологии.

Примечательно, что диапазон рабочих частот 50 нм памяти Elpida лежит в широком диапазоне: от режима DDR3-800 до режима DDR3-2500. Благодаря высоким частотам и низким номинальным напряжениям, память Elpida нового поколения может найти применение не только в составе платформы LGA 1366, но и в серверном сегменте, а также мобильных устройствах. Elpida активно ведёт подготовку к переходу на 50 нм техпроцесс в производстве изделий для сегмента потребительской электроники.

_www.overclockers.ru