imho.ws
IMHO.WS  

Вернуться   IMHO.WS > Компьютеры > HiTech - новости и новинки компьютерного мира
Опции темы
Старый 21.06.2003, 21:18     # 1
georgebukki
::VIP::
 
Аватар для georgebukki
 
Регистрация: 16.03.2002
Адрес: Jerusalem
Сообщения: 1 132

georgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собойgeorgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собойgeorgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собойgeorgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собойgeorgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собойgeorgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собойgeorgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собойgeorgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собойgeorgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собойgeorgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собойgeorgebukki Имеются все основания чтобы гордиться собой
AMD представила новые технологии производства транзисторов

На симпозиуме VLSI в Киото (Япония) специалисты AMD представили технологии создания новых транзисторов, обладающих высоким быстродействием. Ускорение работы транзисторов и их дальнейшая миниатюризация - основное условие получения более мощных процессоров, и представители AMD предложили для этого несколько путей.

Первый из предложенных способов основывается на технологии FDSOI (полностью обедненный кремний на изоляторе). Транзисторы, изготовленные по такой технологии, обгоняют в быстродействии транзисторы PMOS (металлоксидный полупроводник с P-каналом) на 30%. Еще одна технология, разработанная исследователями AMD, заключается в применении напряженного кремния (Strained Silicon) в сочетании с металлизированными затворами. Металлизированные затворы - новейшая разработка компании AMD, использующая для создания затворов силицид никеля, в отличие от обычных транзисторов, в которых для данной цели служит поликристаллический кремний. Быстродействие транзисторов, использующих метализированные затворы, на 25% превышает скорость работы обычных транзисторов. Использование металлизированных затворов позволит усовершенствовать существующий 65-нанометровый процесс изготовления транзисторов и обеспечит их дальнейшую миниатюризацию.

Современные транзисторы SOI работают на тонком слое кремния, под которым находится изолятор, не допускающий утечки тока в подложку. Быстродействие такого транзистора зависит от толщины кремния – чем подложка тоньше, тем выше скорость тока, и соответсвенно, ускоряется работа транзистора. Полностью обедненный кремний позволяет достичь наивысшего на данный момент быстродействия. Заряд может течь быстрее не только за счет уменьшенной толщины кремния, но и за счет того, что его кристаллическая решетка разрежена - атомы более удалены друг от друга. Исследователи полагают, что сочетание технологий полностью обедненного кремния и металлизированных затворов обеспечит дополнительные преимущества при разработке микросхем на основе новых полупроводниковых технологий.
__________________
Не яйца красят человека,
а человек яйца.
georgebukki вне форума  
Старый 22.06.2003, 01:16     # 2
agent86
Junior Member
 
Регистрация: 04.05.2002
Адрес: Ukraine
Сообщения: 77

agent86 Известность не заставит себя ждатьagent86 Известность не заставит себя ждать
круто наверное...
но почему-то АМДшники в своих процах очень не спеша поднимают частоту ....
будем ждать...
agent86 вне форума  
Старый 23.06.2003, 03:12     # 3
DjSasH
Guest
 
Сообщения: n/a

Подождем...
 

Опции темы

Ваши права в разделе
Вы НЕ можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах.
Вы НЕ можете прикреплять вложения
Вы НЕ можете редактировать свои сообщения

BB код Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход


Часовой пояс GMT +4, время: 15:04.




Powered by vBulletin® Version 3.8.5
Copyright ©2000 - 2026, Jelsoft Enterprises Ltd.