DDR, DDR2, DDR3...

[grogi]

Оперативная память DDR3: конец 2008 года
07.11.2008
За год, с момента появления в продаже памяти стандарта DDR3, ее цена значительно упала. Изучаем характеристики и разгонный потенциал нескольких модулей памяти стандарта DDR3

[grogi]

Свои трёхканальные наборы памяти DDR3 выпустила takeMS
09.11.2008 [13:43], Руслан Цап
Не желая отставать от конкурентов, компания takeMS International AG анонсировала выпуск собственных трёхканальных наборов памяти DDR3, которые предназначены для эффективного использования в платформах на базе чипсета Intel X58 Express и оптимизированы под процессоры Intel Core i7 в исполнении Socket LGA1366 на микроархитектуре Nehalem.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/11/07/101846.jpg
На суд потребителей разработчики предлагают комплекты из трёх 240-контактных DIMM-модулей общим объёмом 3 или 6 Гб, причём как серии Entry-Level с частотой 1066 МГц и таймингами 7-7-7-20, так и серии Extreme-Edition с частотой 1333 МГц и задержками 8-8-8-24. В обоих случаях изделия полностью соответствуют требованиям стандартов JEDEC и характеризуются напряжением питания 1,5 В.

Вот только о стоимости и сроках вероятного поступления продуктов в продажу в опубликованном официальном пресс-релизе ничего не сказано.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

OWC также выпустила набор модулей ОЗУ для MacBook объемом 6 ГБ
Сергей Криль @ 23:43
Компания Other World Computing (OWC) предложила пользователям новых алюминиевых моделей Apple MacBook и MacBook Pro наборы модулей памяти DDR3 для увеличения объема ОЗУ ноутбуков до 4 и 6 ГБ.

Напомним, официальные характеристики новых моделей ноутбуков содержат информацию о том, что максимальный поддерживаемый объем оперативной памяти составляет 4ГБ, однако опытным путем было установлено, что при использовании двух модулей разного объема (2 и 4 ГБ) максимальный объем ОЗУ можно увеличить до 6 ГБ. Первой о подобном открытии сообщила компания Ramjet, представившая собственный набор модулей ОЗУ несколько дней назад.
_http://www.ixbt.com/short/images/owc8500ddr3s2gbpair400_002.jpg
Комплект от OWC стоит $750 и содержит один модуль 2 ГБ и один — 4ГБ. Отметим, что 4-гигабайтный набор (2 модуля по 2 гигабайта) стоит $130, в то время как один 4-гигабайтный модуль имеет цену $700. Для сравнения: 2-гигабайтный модуль OWC продает за $66.

Источник: OWC

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Осторожно: комплект памяти Kingston HyperX KHX8500D2K2/2G!
"Взяв очередной комплект памяти для тестирования, мы уже не рассчитывали встретить легендарные чипы (и не встретили), способные удивить своим оверклокерским потенциалом. Мы просто решили проверить массовый продукт, доступный в большом количестве на рынке, дабы проинформировать пользователя о целесообразности покупки того или иного решения.

Кроме стандартной процедуры разгона памяти до максимально возможной частоты было решено провести еще пару тестов, для чего было взято два комплекта Kingston HyperX KHX8500D2K2/2G по 2 ГБ каждый. Но некоторые обстоятельства не только сорвали весь задуманный процесс, но и добавили негативного отношения к производителю сего чудесного продукта. Но обо всем по порядку."

[grogi]

Память в системах LGA 1366 может работать при напряжениях до 1.875 В?
Lexagon / 18.11.2008 08:14 / ссылка на материал / версия для печати
Одно из первых предостережений, связанных с особенностями работы памяти в системах с разъёмом LGA 1366, гласило о необходимости использования модулей DDR-3 с номинальным напряжением не выше 1.65 В. Считалось, что длительная эксплуатация памяти при более высоких напряжениях может привести к выходу из строя процессора.

Прошу заметить, что некоторые производители памяти отваживались нарушить эти рекомендации, и предлагали модули памяти для Core i7 с возможностью работы при напряжении 1.8 В. Отдельные экспериментаторы на базе личного опыта делали заключения, что непродолжительное повышение напряжения памяти за пределы 1.65 В губительных последствий для процессоров Core i7 иметь не будет.

Самое интересное, что в технической документации Intel по процессорам Core i7 максимально допустимое напряжение для памяти вообще равно 1.875 В! Возможно, Intel рассматривает какие-то дополнительные факторы риска, либо просто делает больший "запас прочности", не рекомендуя превышать напряжение 1.65 В.

Как нам удалось выяснить позднее при помощи сайта Bit-Tech, для сохранения жизни процессору достаточно удерживать разницу между напряжениями "неядерной части процессора" (uncore) и памяти в пределах 0.5 В. Оба параметра устанавливаются в BIOS материнской платы.

(C)_www.overclockers.ru

[ALESSIO]

Mushkin анонсировала сразу 16 трехканальных наборов памяти

В связи с официальным выходом процессором Intel Core i7, компания Mushkin, специализирующаяся на высокопроизводительных решениях, предложила покупателям, по меньшей мере, сразу 16 наборов памяти DDR3, состоящих из трех планок, что обусловлено наличием встроенного в процессор трехканального контроллера памяти.



Судя по нижеприведенному списку продуктов, трудолюбие сотрудников небольшой компании Mushkin оказалось значительно выше, чем у работников ее конкурентов:

998678 — 3GB XP3-12800 @1600 МГц, задержки 7-8-7-20 при напряжении 1,65 В.
998679 — 6GB XP3-12800 @1600 МГц, задержки 7-8-7-20 при напряжении 1,65 В.
998680 — 3GB XP3-12800 @1600 МГц, задержки 8-8-8-24 при напряжении 1,6—1,65 В.
998681 — 6GB XP3-12800 @1600 МГц, задержки 8-8-8-24 при напряжении 1,6—1,65 В.
998658 — 3GB HP3-12800 @1600 МГц, задержки 9-9-9-27 при напряжении 1,5—1,6 В.
998659 — 6GB HP3-12800 @1600 МГц, задержки 9-9-9-27 при напряжении 1,5—1,6 В.
998674 — 3GB XP3-10666 @1333 МГц, задержки 6-6-6-18 при напряжении 1,65 В.
998675 — 6GB XP3-10666 @1333 МГц, задержки 6-6-6-18 при напряжении 1,65 В.
998676 — 3GB HP3-10666 @1333 МГц, задержки 7-7-7-20 при напряжении 1,5—1,6 В.
998677 — 6GB HP3-10666 @1333 МГц, задержки 7-7-7-20 при напряжении 1,5—1,6 В.
998583 — 3GB EM3-10666 @1333 МГц, задержки 9-9-9-24 при напряжении 1,5 В.
998585 — 6GB EM3-10666 @1333 МГц, задержки 9-9-9-24 при напряжении 1,5 В.
998682 — 3GB HP3-8500 @1066 МГц, задержки 6-6-6-18 при напряжении 1,5—1,6 В.
998683 — 6GB HP3-8500 @1066 МГц, задержки 6-6-6-18 при напряжении 1,5—1,6 В.
998570 — 3GB EM3-8500 @1066 МГц, задержки 7-7-7-20 при напряжении 1,5 В.
998571 — 6GB EM3-8500 @1066 МГц, задержки 7-7-7-20 при напряжении 1,5 В.

Рекомендованные цены на эти наборы можно посмотреть на официальном сайте. К примеру, комплект XP3-12800 @1600 МГц из трех 2-Гб планок с характеристикой задержек 7-8-7-20 обойдется покупателю в 960 $ при покупке через сайт и еще дороже — через дилеров. Цена самого простого 3-Гб набора EM3-8500 @1066 МГц составляет 297 $.

Модули выполнены с соблюдением стандартов качества и поэтому имеют высокие показатели надежности. Планки оснащены фирменными радиаторами для повышения разгонного потенциала. Традиционно, Mushkin обеспечивает свои продукты пожизненным сроком гарантийного обслуживания.

_www.nvworld.ru

[grogi]

Нужны ли играм 6 Гб оперативной памяти?
Lexagon / 19.11.2008 08:20 / ссылка на материал / версия для печати
Трёхканальные комплекты памяти типа DDR-3, которые предлагаются всеми ведущими производителями в качестве компонента систем на базе Core i7, имеют объём 3 х 1 Гб или 3 х 2 Гб. В последнем случае для работы со всем объёмом оперативной памяти необходимо использовать 64-разрядное программное обеспечение, тогда как 3 Гб памяти может задействовать и 32-разрядная операционная система. Многие из вас наверняка задавались вопросом, востребованы ли сейчас 6 Гб памяти в таких повседневных задачах, как игры. Серверный сегмент и традиционно ресурсоёмкие задачи по обработке графики мы сейчас не рассматриваем - для них чем больше памяти, тем лучше.

Компания Corsair, тем временем, выпустила интересный документ (1.05 Мб, PDF), в котором рассмотрела прирост от увеличения объёма оперативной памяти с 3 до 6 Гб в играх. Использовались комплекты памяти Dominator типа DDR3-1600 (8-8-8-24), которые работали в материнской плате Asus P6T Deluxe (Intel X58) при напряжении 1.65 В. Процессор Core i7-965 Extreme Edition работал на своей номинальной частоте 3.2 ГГц, две видеокарты GeForce GTX 280 в связке SLI эксплуатировались при разрешении 1680 х 1050 и максимальных настройках качества. Операционной системой служила 64-разрядная версия Windows Vista SP1.

Результаты тестирования приведены на гистограмме. В игре Crysis Warhead минимальное значение скорости обновления сцены возросло в три раза при переходе от трёх к шести гигабайтам памяти. В других играх величина прироста по этому показателю гораздо ниже. Следует отметить, что средняя скорость обновления сцены возрастает не так сильно - от долей процента до 10% в Warhammer Online, и до 19% в World In Conflict. Также Corsair отмечает увеличение скорости загрузки уровня на 12-23%.

Коллеги с сайта VR-Zone провели аналогичное исследование по другой методике. Процессор Core i7-920 был разогнан до 4.0 ГГц, для сравнения использовались комплекты памяти DDR3-1800 производства Kingston объёмом 3 х 1 Гб и 3 х 2 Гб соответственно. Видеокарты Radeon HD 4870 X2 и Radeon HD 4650 тестировались в более высоких разрешениях вроде 1920 х 1200 или 2560 х 1600. Результаты получились гораздо менее оптимистичными, чем в случае с "доморощенными" тестами Corsair - прирост быстродействия в играх от увеличения объёма памяти едва достигает десятых долей процента. Случай, как говорится, бывает всяким, но настаивать на обязательном увеличении объёма памяти с 3 до 6 Гб пока преждевременно. Для игр лучше потратить имеющиеся средства на более производительную видеокарту.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Samsung предлагает чипы памяти для модулей DDR3-1066 объёмом 4 Гб
Lexagon / 20.11.2008 09:08 / ссылка на материал / версия для печати
Ещё в конце сентября компания Samsung объявила о доступности двухгигабитных микросхем DDR-3, выпускаемых по 50 нм технологии. Их можно использовать для создания модулей памяти объёмом 4 Гб, при этом уровень энергопотребления для режима DDR3-1333 снижается на 40% по сравнению с микросхемами памяти предыдущего поколения.

Во вторник компания Samsung сообщила о получении 2-гигабитными микросхемами DDR-3 сертификата одобрения Intel, позволяющего рекомендовать эти микросхемы для создания модулей памяти, работающих в системе на базе процессоров Core i7. Если быть точнее, официальное одобрение Intel получили модули памяти типа DDR3-1066.
http://www.overclockers.ru/images/ne...20/samsung.jpg
Прошу заметить, что эти микросхемы памяти Samsung могут работать при напряжениях 1.35-1.5 В, для процессоров Core i7 эта возможность имеет большое значение. По данным исследований IDC, в следующем году память типа DDR-3 может составлять до 29% всей продаваемой в мире памяти, а к 2011 году занять до 72% рынка. Кроме того, если в 2009 году на долю двухгигабитных микросхем будет приходиться всего 3%, то к 2011 году эта доля увеличится до 33%.

Gigabyte предлагает заработать $1500 разгоном памяти типа DDR-2
Lexagon / 21.11.2008 08:33 / ссылка на материал / версия для печати
Производители комплектующих периодически подогревают интерес к своей продукции путём организации различных конкурсов и даже чемпинатов по компьютерным играм или оверклокингу. Мероприятия последнего типа в последнее время завоевали особую популярность, и компания Gigabyte предложила всем желающим бросить вызов признанным оверклокерам, которые на Gigabyte Open Overclocking Championship 2008 завоевали призовые места в номинации "свободный стиль".

Каждый оверклокер может посоревноваться с оверклокерами, известными нам под именами Vapor (на фото слева) и Fugger (на фото справа). Последний, напомним вам, является не только основателем и активным участником форума XtremeSystems.org, но и автором многочисленных мировых рекордов. Самое интересное, что в качестве призов Gigabyte предлагает не гуталин или велосипед, а денежные премии в размере $1500, $1000 и $500 - за первое, второе и третье места соответственно.

Всё, что требуется от участников соревнования - подтвердить факт разгона памяти до режима свыше DDR2-1508 в одной из материнских плат производства Gigabyte: GA-EP45-UD3P, GA-EP45-UD3R и GA-EP45-UD3. В качестве доказательства факта обладания материнской платой необходимо предоставить серийный номер и код сборки. Процессор и модули памяти, участвующие в разгоне, должны быть приобретены в розничной сети. Скриншот CPU-Z должен пройти валидацию на сайте x86-secret.com.

В зачёт принимаются результаты не ниже DDR2-1366, они принимаются на сайте Gigabyte до 31 декабря 2008 года. Список победителей будет опубликован на сайте производителя плат 2 января 2009 года. Следует признать, что существующая версия списка лучших результатов содержит ссылку на прецедент с разгоном памяти до режима DDR2-1550, а два других результата лишь чуть-чуть не дотянули до DDR2-1540. Если хотите победить, нужно нацеливаться на более высокие результаты.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Spansion делится деталями о памяти EcoRAM
[22.11.2008 13:00:00]
Летом нынешнего года компания Spansion обнародовала инициативу по созданию нового типа памяти для серверных приложений. Идея разработки заключается в том, что в случае приоритета режима чтения нет нужды пользоваться обычной DRAM-памятью, которая требует регенерации данных и поэтому энергозатратна. Для работы со статичными базами данных, проведения анализа геологоразведок, использования сетевых хранилищ, в том числе Интернет, функционирования других приложений «чтения» достаточно будет оснастить сервера энергонезависимой памятью. Причём интеграция флэш-памяти в состав серверной платформы на уровне системной памяти позволяет организовать «мгновенный» доступ к данным – много быстрее и без миллисекундных задержек, свойственных жёстким дискам, и даже без характеризующих SSD микросекундных задержек. Скорость «реакции» EcoRAM, утверждает Spansion, 250 наносекунд или менее.


DIMM Spansion EcoRAM

На текущий момент компания поставляет образцы памяти в планках DIMM объёмом 32 ГБ. Архитектура платформы разработана компанией Virident, часть акций которой принадлежит Spansion. Последняя является также правообладателем технологии и уполномочена продавать соответствующую лицензию. Платформа Virident GreenGateway Platform поддерживает до 16 планок EcoRAM – всего 512 ГБ – это от восьми до шестнадцати раз больше объёма памяти типичного сервера высотой 1U. Таким образом, сервер может обойтись не только без оперативной памяти, но и без жёсткого диска или SSD. Экономия электроэнергии может оказаться значительная.
Управление памятью EcoRAM может осуществляться не только с помощью интегрированных на материнскую плату контроллеров, но также с помощью контроллеров устанавливаемых в процессорный сокет (EcoRAM Accelerator), что возможно только в платах для многопроцессорных конфигураций. При этом для четырёхпроцессорных конфигураций достигается производительность сравнимая с работой подсистемы обычной памяти – до 4 ГБ/с. Скорость записи остаётся неудовлетворительной – порядка 300 МБ/с – но система, повторимся, ориентирована на доминирующий режим чтения.
Контроллер памяти EcoRAM – EcoRAM Accelerator – совместим со «стандартным» процессорным разъёмом для x86-решений. Компания поясняет, что поддерживаются, как платформы Intel, так и AMD. На сегодня Spansion не может назвать ни стоимость платформы, ни её реальную производительность. Всё зависит от конкретных условий эксплуатации. Технология изучается клиентами компании и какие-то выводы делать преждевременно.

Автор: GreenCo

(C)_www.fcenter.ru

[ALESSIO]

OCZ представила трёхканальную память для Core i7 с поддержкой XMP
Производители памяти уже достаточно сильно оптимизировали ассортимент продукции под процессоры Core i7, которые располагают встроенным трёхканальным контроллером памяти, и не любят напряжение на памяти свыше 1.65 В. Справедливость подобного предостережения неоднократно оспаривалась, но сути дела это не меняет - производители памяти вынуждены ограничивать номинальные напряжения комплектов, предназначенных для эксплуатации в материнских платах с разъёмом LGA 1366.
На этой неделе компания OCZ Technology представила ещё более узкоспециализированные комплекты памяти для систем на базе процессоров Core i7. Поскольку чипсет Intel X58 поддерживает расширения XMP, позволяющие добавлять в SPD модулей памяти профили для "автоматического разгона", совместимость с XMP стала главной чертой новинок
http://www.overclockers.ru/images/ne.../23/ocz_01.jpg
Трёхканальные наборы памяти объёмом 3 х 1 Гб или 3 х 2 Гб в номинальном режиме работают как DDR3-1333 с таймингами 7-7-7-20 при напряжении 1.5 В. Расширения XMP хранят два профиля: DDR3-1333 (8-8-8-20) и DDR3-1333 (7-7-7-20) - при одном и том же напряжении 1.6 В. Как видите, "автоматический разгон" получился довольно консервативным.
http://www.overclockers.ru/images/ne.../23/ocz_02.jpg
Фирменный теплораспределитель XTC с ячеистой структурой установлен на каждом модуле памяти. Середину планки украшает логотип процессоров Core i7 Extreme Edition. Производитель гарантирует работоспособность модулей памяти при эксплуатации с напряжением 1.65 В.

_www.overclockers.ru

[grogi]

Hynix готова начать поставки памяти GDDR-5 с частотой 7.0 ГГц
Lexagon / 24.11.2008 08:34 / ссылка на материал / версия для печати
Именно компания Qimonda в своё время стала официальным партнёром AMD по оснащению видеокарт серии Radeon HD 4870 памятью типа GDDR-5. Хотя используемая этими видеокартами память работает на частоте 3600 МГц QDR, теоретически она способна работать на частоте 4000 МГц QDR, и Qimonda уже располагает микросхемами GDDR-5 с частотой 5000 МГц QDR. Этот же производитель пообещал со временем выпустить память типа GDDR-5, работающую на частоте 6000 МГц QDR.

Компания Hynix, судя по опубликованному вчера пресс-релизу, ничуть не желает уступать конкуренту. Она заявила о начале производства одногигабитных микросхем памяти типа GDDR-5, способных работать на частоте 7000 МГц QDR. Они производятся по 54 нм технологии, и работают при напряжении 1.35 В. До этого микросхемы памяти типа GDDR-5 выпускались компанией Hynix по 66 нм технологии, они работали на частотах до 4.5 ГГц QDR включительно при напряжении 1.5 В.

Массовое производство гигабитных микросхем GDDR-5 с частотой 7.0 ГГц QDR компания Hynix планирует начать в первой половине следующего года. Возможно, в следующем году на более активное использование этого типа памяти перейдёт не только AMD, но и NVIDIA.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Памяти не бывает много
"Многие оверклокерские бренды известны в России, многие из них доступны в продаже. Но все равно есть то, чего хочется, но не купить. До последнего времени в России не было официального дистрибьютора Mushkin. А тем временем память этого производителя по праву считается одной из самых быстрых и надежных. Легенда мирового оверклокинга немец No_Name все свои значимые результаты получает на модулях этого производителя. Кроме того, компания Mushkin является официальным поставщиком Apple и NASA, что говорит о высочайшем качестве продукции.

И вот свершилось - компания Хайлайт стала поставлять этот бренд в нашу страну. В полном ассортименте. Тут есть и быстрейшие комплекты DDR3, и уже сходящие со сцены, но все равно актуальные комплекты DDR2, и даже "вечно молодые" модули DDR. Ко мне на тестирование попал комплект, применительно к которому можно сказать лишь одно - памяти не бывает много. Не могу не отметить, что Хайлайт так же представляет в нашей стране компании SilverStone , Alphacool и другие комплектующие премиум класса из Германии . Ознакомится с полным ассортиментом можно на сайте www.hailait.ru. Но вернемся к памяти."

[grogi]

Разрабатываем методику тестирования модулей памяти
синтетика против «реальных» тестов (или за?)
"На повестке дня у нас сегодня будет сразу три вопроса: стоит ли тестировать модули памяти "вообще", результаты в каких программах и тестах могут быть показательными в этом деле, ну и конечно же, методом практического отбора из этих теоретически-интересных программ отобрать необходимый и достаточный минимум, который позволял бы достоверно сравнивать модули именно по производительности (остальные параметры: разгонный потенциал, наполнение SPD выяснить довольно просто, что мы обычно и делали в обзорах модулей).

Так надо ли тестировать оперативную память, либо ее производительность на сегодня столь велика, что покрывает любые запросы любых программ в любых режимах (такие мнения иногда приходится слышать)? С теорией тут все однозначно: конечно, надо. Потому как есть очень большая разница между утверждением "отличий в производительности почти нет, с учетом результатов в десяти, ну пусть даже 20 приложениях", в особенности если эти приложения (и условия тестирования) подбирались с тем, чтобы результат зависел от производительности каких-то других компонентов (то есть, чтобы тестировать процессоры, видеокарты и т.п.), и утверждением, что "разницы нет вообще". Вполне очевидно, что те, кого заботит производительность подсистемы памяти, могут иметь дело с задачами, где именно и происходит активное взаимодействие с большими объемами памяти, что на сегодня в первую очередь касается многозадачной среды, хотя и не только ее. Однако, если на практике отклонения окажутся в пределах погрешности измерения, интерес к таким тестам, действительно, будет минимальным. Соответственно, надо либо наглядно продемонстрировать, что есть условия, в которых (от быстрой, емкой и т.п. памяти) есть толк, либо признать, что разницы действительно нет.

Но поскольку условия могут быть очень индивидуальными, "натуралистичная методика" рискует оказаться слишком пространной, громоздкой и все равно малопрактичной, и здесь не жалуемая многими синтетика представляется вовсе не такой уж бесполезной вещью, как например, в случае с тестированиями процессоров. Алгоритмы, используемые в разных программах, действительно сильно различаются, и нигде, скажем, кроме как в самой SuperPi, точно такой же программный код не используется. Соответственно, и нагрузку на те или иные вычислительные блоки процессора, а значит и общую производительность, по результатам в одной-двух программах никак не предскажешь. Но обмен с памятью — величина в большей степени поддающаяся "измерению с линейкой", задержки (в разных режимах) и пропускная способность не зависят от того, из какой программы поступил запрос на чтение или запись данных. Впрочем, мерять так мерять, на синтетике зацикливаться никто не собирается, хотелось лишь отметить, что в случае с тестированием памяти, такие данные представляют собой неплохое подспорье."

[ALESSIO]

Crucial предлагает комплекты памяти объёмом 3 х 4 Гб
Анонс платформы LGA 1366 и процессоров Core i7 с интегрированным трёхканальным контроллером памяти стал для производителей памяти шансом привлечь внимание к своей продукции. Кто-то делал упор на низкие тайминги, кто-то - на высокие частоты и умеренное напряжение, другие делали акцент на объёме. Например, компания Samsung уже предлагает микросхемы памяти типа DDR3-1066, на базе которых можно производить модули памяти объёмом 4 Гб.

Компания Lexar Media, которая выпускает оперативную память под торговой маркой Crucial, вчера объявила о доступности своих трёхканальных наборов DDR3-1066 и DDR3-1333 различного объёма. Если комплектами памяти 3 х 1 Гб и 3 х 2 Гб никого удивить невозможно, то наборы DDR-3 объёмом 3 х 4 Гб ещё кажутся экзотикой.

Именно такие комплекты памяти типа DDR3-1066 из трёх регистровых модулей объёмом по 4 Гб предлагает Crucial: они имеют тайминги CL7 и номинальное напряжение 1.5 В, а также поддерживают ECC, что пригодится после анонса серверных процессоров Nehalem в следующем квартале. Стоимость комплекта памяти такого объёма в фирменном интернет-магазине равна $1149. Непосредственно для настольных процессоров Core i7 предназначены модули памяти меньшей ёмкости:

CT3KIT12864BA1339-3GB -> 3 x 1 Гб, DDR3-1333, CL9, 1.5 В, $116.99;
CT3KIT12864BA1067-3GB -> 3 x 1 Гб, DDR3-1066, CL7, 1.5 В, $107.99;
CT3KIT25664BA1339-6GB -> 3 x 2 Гб, DDR3-1333, CL9, 1.5 В, $209.99;
CT3KIT25664BA1067-6GB -> 3 x 2 Гб, DDR3-1066, CL7, 1.5 В, $197.99.

Судя по тому, что Lexar Media является дочерней компанией Micron Technology, для производства модулей памяти Crucial используются микросхемы Micron. На частотах до DDR3-1333 они способны работать при напряжении 1.5 В и значении таймингов CL9.

Кстати, сожалеть об отсутствии в продаже комплектов небуферизованной памяти типа DDR-3 объёмом 3 х 4 Гб вряд ли приходится, поскольку тесты показали, что даже комплект памяти объёмом 3 х 2 Гб не даёт такого прироста быстродействия в играх, который хотели бы видеть производители и продавцы.

Elpida готова выпускать память типа DDR-3 с напряжением 1.2 В
Пример компании Hynix доказывает, что с переходом на более "тонкие" техпроцессы память не только увеличивает частотный потенциал, но и снижает уровень энергопотребления. Кроме того, производитель памяти получает возможность выпускать более плотные микросхемы и экономить на удельной себестоимости.

Компания Elpida сегодня заявила о готовности начать массовое производство микросхем памяти типа DDR-3 по 50 нм технологии в январе-марте 2009 года. Новый 50 нм техпроцесс с использованием иммерсионной литографии и оборудования с длиной волны 193 нм позволяет микросхемы памяти площадью менее 40 кв.мм. Кроме стандартного напряжения 1.5 В, новые микросхемы памяти типа DDR-3 в исполнении Elpida способны работать при напряжениях 1.35 В и 1.2 В. Максимальное снижение энергопотребления достигает 50% по сравнению с микросхемами памяти, выпускаемыми по 70 нм технологии.

Примечательно, что диапазон рабочих частот 50 нм памяти Elpida лежит в широком диапазоне: от режима DDR3-800 до режима DDR3-2500. Благодаря высоким частотам и низким номинальным напряжениям, память Elpida нового поколения может найти применение не только в составе платформы LGA 1366, но и в серверном сегменте, а также мобильных устройствах. Elpida активно ведёт подготовку к переходу на 50 нм техпроцесс в производстве изделий для сегмента потребительской электроники.

_www.overclockers.ru

[grogi]

Elpida готовит экономичную и быструю «настольную» память
[26.11.2008 13:58:00]
Нынешним летом компания Samsung первой в индустрии приступила к массовому выпуску чипов памяти DDR3 с применением самого передового производства с нормами 50 нм. Осенью с аналогичной продукцией выступила другая южнокорейская компания – Hynix. Третий игрок из пятёрки лидеров – японская Elpida Memory – осенью лишь начала выпускать «адаптированную» к 50 нм 65-нм память (что-то типа масштабирования). Но сегодня Elpida рапортует о завершении разработки настоящего 50-нм техпроцесса по выпуску DDR3.
Согласно официальному пресс-релизу компании, массовое производство чипов по новой технологии стартует в период с января по март 2009 года. Необходимо отметить, сроки эти более чем сжатые. Обычно переход на новый техпроцесс длился до полутора лет. Очевидно, в период кризиса перевооружение необходимо проводить в предельно сжатые сроки. Иначе потом стартовать будет не с чем (к сожалению, по нашу сторону океана это не понимают; нет иммунитета к подобным явлениям?)
Интересно отметить, помимо микросхем памяти с питанием 1,5 В, будут выпускаться чипы в новом низковольтном стандарте с 1,35-В питанием, и более того – с 1,2-В питанием. Вкупе с маленьким 50-нм кристаллом площадью менее 40 кв. мм это даст значительную экономию в потреблении – до 50% по сравнению с 70-нм чипами DDR3. Основным потребителем новой памяти станут высокопроизводительные настольные компьютеры. С помощью новой разработки получится собирать планки памяти с рабочей частотой вплоть до 2500 МГц. Впоследствии Elpida видит расширение сферы применения своей быстрой DDR3 с охватом сектора серверов и мобильных компьютеров.
Автор: GreenCo

(C)_www.fcenter.ru

добавлено через 4 минуты
Трёхканальные наборы памяти Crucial объёмом до 12 Гб
27.11.2008 [17:33], Руслан Цап
Компания Lexar Media объявила о выпуске под брендом Crucial новых трёхканальных наборов памяти DDR3, предназначенных для эффективного использования в платформах на базе чипсета Intel X58 Express и процессоров Intel Core i7 в исполнении Socket LGA1366 на микроархитектуре Nehalem.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/11/26/104306.jpg
Примечательно то, что помимо комплектов с традиционным суммарным объёмом в 3 или 6 Гб, разработчики предлагают и весьма экзотический на сегодняшний день 12-гигабайтный набор, состоящий из трёх 240-контактных DIMM-модулей памяти DDR3-1066 вместимостью 4 Гб каждый.

Что же касается полного перечня доступных продуктов, то он выглядит так:

• CT3KIT12872BA1067 (суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1066 МГц, тайминги – CL7, напряжение питания – 1,5 В, схема организации – 128Mx72, цена – $179);
• CT3KIT12864BA1067 (суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1066 МГц, тайминги – CL7, напряжение питания – 1,5 В, схема организации – 128Mx64, цена – $108);
• CT3KIT12872BA1339 (суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – CL9, напряжение питания – 1,5 В, схема организации – 128Mx72, цена – $209);
• CT3KIT12864BA1339 (суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – CL9, напряжение питания – 1,5 В, схема организации – 128Mx64, цена – $117);
• CT3KIT25672BA1339 (суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – CL9, напряжение питания – 1,5 В, схема организации – 256Mx72, цена – $419);
• CT3KIT25672BA1067 (суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1066 МГц, тайминги – CL7, напряжение питания – 1,5 В, схема организации – 256Mx72, цена – $359);
• CT3KIT25664BA1339 (суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – CL9, напряжение питания – 1,5 В, схема организации – 256Mx64, цена – $210);
• CT3KIT25664BA1067 (суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1066 МГц, тайминги – CL7, напряжение питания – 1,5 В, схема организации – 256Mx64, цена – $198);
• CT3KIT51272BB1067 (суммарный объём – 12 Гб, рабочая частота – 1066 МГц, тайминги – CL7, напряжение питания – 1,5 В, схема организации – 512Mx72, цена – $1150).

Все новинки обеспечиваются пожизненной гарантией качества.

Список трёхканальных наборов памяти GeIL серий Value и Ultra
27.11.2008 [21:17], Руслан Цап
Вот и компания Golden Emperor International Ltd. (GeIL) объявила о выпуске собственных наборов трёхканальной оперативной памяти DDR3, которые предназначены для эффективного использования в платформах на базе чипсета Intel X58 Express и оптимизированы под процессоры Intel Core i7 в исполнении Socket LGA1366 на микроархитектуре Nehalem.


Как отмечается в опубликованном официальном пресс-релизе, все новинки обеспечиваются пожизненной гарантией качества, причём каждая из планок, входящих в комплекты серии Value, оборудована радиатором Brushed-Titanium Aluminum Heatspreader, тогда как поддержанием оптимального температурного режима модулей из наборов серии Ultra занимается радиатор Neo-Metallic-Blue Aluminum Heatspreader. Что же касается полного перечня предлагаемых продуктов, то он выглядит так:

• GeIL Value Series 3GB DDR3-1066 Triple Channel Kit (код – GV33GB1066C7TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1066 МГц, тайминги – 7-7-7-20, напряжение питания – 1,5 В);
• GeIL Value Series 6GB DDR3-1066 Triple Channel Kit (код – GV36GB1066C7TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1066 МГц, тайминги – 7-7-7-20, напряжение питания – 1,5 В);
• GeIL Value Series 3GB DDR3-1066 Triple Channel Kit (код – GV33GB1066C8TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1066 МГц, тайминги – 8-8-8-20, напряжение питания – 1,5 В);
• GeIL Value Series 6GB DDR3-1066 Triple Channel Kit (код – GV36GB1066C8TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1066 МГц, тайминги – 8-8-8-20, напряжение питания – 1,5 В);
• GeIL Value Series 3GB DDR3-1333 Triple Channel Kit (код – GV33GB1333C7TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – 7-7-7-24, напряжение питания – 1,5 В);
• GeIL Value Series 6GB DDR3-1333 Triple Channel Kit (код – GV36GB1333C7TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – 7-7-7-24, напряжение питания – 1,5 В);
• GeIL Value Series 3GB DDR3-1333 Triple Channel Kit (код – GV33GB1333C9TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – 9-9-9-24, напряжение питания – 1,5 В);
• GeIL Value Series 6GB DDR3-1333 Triple Channel Kit (код – GV36GB1333C9TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – 9-9-9-24, напряжение питания – 1,5 В);
• GeIL Value Series 3GB DDR3-1600 Triple Channel Kit (код – GV33GB1600C8TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 8-8-8-28, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Value Series 6GB DDR3-1600 Triple Channel Kit (код – GV36GB1600C8TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 8-8-8-28, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 3GB DDR3-1333 Triple Channel Kit (код – GU33GB1333C6TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – 6-6-6-24, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 6GB DDR3-1333 Triple Channel Kit (код – GU36GB1333C6TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – 6-6-6-24, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 3GB DDR3-1600 Triple Channel Kit (код – GU33GB1600C7TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 7-7-7-24, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 6GB DDR3-1600 Triple Channel Kit (код – GU36GB1600C7TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 7-7-7-24, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 3GB DDR3-1800 Triple Channel Kit (код – GU33GB1800C7TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1800 МГц, тайминги – 7-7-7-28, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 6GB DDR3-1800 Triple Channel Kit (код – GU36GB1800C7TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1800 МГц, тайминги – 7-7-7-28, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 3GB DDR3-1800 Triple Channel Kit (код – GU33GB1800C8TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 1800 МГц, тайминги – 8-8-8-28, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 6GB DDR3-1800 Triple Channel Kit (код – GU36GB1800C8TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1800 МГц, тайминги – 8-8-8-28, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 3GB DDR3-2000 Triple Channel Kit (код – GU33GB2000C8TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 2000 МГц, тайминги – 8-8-8-28, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 6GB DDR3-2000 Triple Channel Kit (код – GU36GB2000C8TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 2000 МГц, тайминги – 8-8-8-28, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 3GB DDR3-2000 Triple Channel Kit (код – GU33GB2000C9TC, суммарный объём – 3 Гб, рабочая частота – 2000 МГц, тайминги – 9-9-9-28, напряжение питания – 1,65 В);
• GeIL Ultra Series 6GB DDR3-2000 Triple Channel Kit (код – GU36GB2000C9TC, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 2000 МГц, тайминги – 9-9-9-28, напряжение питания – 1,65 В).

Вот только о ценах на описанные выше новинки пока ничего не известно.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Цены на DDR2-чипы достигли рекордного минимума, и это не предел
03.12.2008 [21:09], Александр Будик
Производители DRAM-чипов не видят свет в конце тоннеля – цены на микросхемы памяти продолжают неуклонно падать. Казалось бы, дешеветь уже и некуда, но рынок зафиксировал очередной рекорд – стоимость гигабитных DDR2-чипов достигла отметки $0,6 за единицу продукции.

Тайваньские производители прекратили принимать заказы на свои чипы по чрезмерно низким ценам, чтобы защитить себя от убытков, но ситуацию накаляют их конкуренты. Корейские компании, занимающиеся выпуском DRAM-памяти, продолжают почти безболезненно для себя снижать цены – это им позволяет падение курса воны (обесценивание национальной валюты всегда ставит экспортёров в выгодное положение).

Отраслевые аналитики отмечают, что цены на DRAM-микросхемы могут и далее снижаться до тех пор, пока обесценивается южнокорейская вона.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

A-DATA выпускает двух- и трёхканальные наборы памяти DDR3-1800+ в серии XPG Plus
BlackCat @ 00:14
Расширяет модельный ряд своей памяти тайваньская компания A-DATA представившая пополнение в своей линейке XPG Plus. Теперь помимо памяти DDR3-1600+ в ней также имеется DDR3-1800+ в наборах 2 х 1 ГБ, 2 х 2ГБ, 3 х 1 ГБ и 3 х 2 ГБ.

Все новинки гарантировано работают на частоте 1800 МГц при таймингах 8-8-8-24. Такие параметры могут быть достигнуты при напряжении в диапазоне 1,65-1,85 В.
_http://www.ixbt.com/short/images/pr_adataxpgplusdec082.jpg
Обращает свое внимание что в SPD модулей зашиты куда более скромные параметры, 9-9-9-24 при 1333 МГц

Новинки используют 6-слойную печатную плату и обеспечиваются пожизненной гарантией производителя.

Источник: A-DATA

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Hynix разработала первые 2-Гбит чипы Mobile DRAM
05.12.2008 [22:07], Александр Будик
Компания Hynix Semiconductor отрапортовала об успешной разработке двухгигабитных чипов Mobile DRAM, выполненных по 54-нм проектным нормам. До сих пор ёмкость микросхем такого типа не превышала 1 Гбит. Таким образом, Hynix удалось увеличить максимальную ёмкость Mobile DRAM в два раза.

Быстродействие новых чипов достигает 400 Мбит/с при напряжении питания 1,2 В. При использовании 32-разрядной шины доступа пропускная способность памяти составляет 1,6 гигабайт в секунду.

Новые микросхемы Hynix отличаются гибким дизайном. Благодаря этому они совместимы с двумя интерфейсами SDRAM и DDR DRAM, а также поддерживают организацию x16 и x32.

Ожидается, что новинки найдут применение в устройствах типа MID и UMPC, хотя этим сфера их использования, конечно же, не ограничится. Массовое производство 2-Гбит чипов стартует в первой половине следующего года.

(C)_3dnews.ru

добавлено через 24 минуты
G.Skill PI Black: рекордно быстрая память для платформы Nehalem
BlackCat @ 13:20
Учитывая тот факт, что память в системных платах на базе чипсета Intel X58 может работать при напряжениях, не превышающих 1,65 В, производителям пришлось сделать несколько шагов назад в гонке мегагерц.

В итоге, самой быстрой памятью, гарантированно работающей в трёхканальной конфигурации вместе с Nehalem, сейчас являются модули, имеющие тактовую частоту 2 ГГц при не слишком агрессивных таймингах (как правило 9-9-9-27).

Таким образом, G.Skill не погрешила против истины, назвав свои новинки в серии PI Black самыми быстрыми предложениями для Intel Core i7 / Intel X58 Express. Наборы модулей суммарным объёмом 3 и 6 ГБ функционируют на частоте 2000 МГц при очень низких таймингах 8-8-8-21.
_http://www.ixbt.com/short/images/gskill.jpg
Демонстрацию работы такой системы производитель доверил довольно известному энтузиасту разгона, известному под именем Coolaler.

Отметим, что серия PI Black имеет пожизненную гарантию G.Skill.

Источник: VR-Zone

Kingston выпустила набор быстрой памяти DDR3-1066 объемом 4 ГБ для ноутбуков
Accent @ 11:38
Ориентируясь на требовательных пользователей ноутбуков на платформе Centrino 2, компания Kingston начала поставки высокопроизводительных наборов памяти KHX8500S3ULK2/4G, включающих два модуля SO-DIMM суммарным объемом 4 ГБ.
_http://www.ixbt.com/short/images/Kingston_HyperX_SO-DIMM_01.jpg
Модули, входящие в семейство HyperX, оснащены алюминиевыми радиаторами голубого цвета с броским логотипом. Они рассчитаны на работу при тактовой частоте 1066 МГц и напряжении питания 1,5 В с задержками CL5-5-5-15.

Как и другие продукты Kingston, модули HyperX DDR3-1066 SO-DIMM сопровождаются пожизненной гарантией. Цена набора, рекомендованная производителем, равна $228.

Источник: Kingston

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Модули памяти HyperX DDR3-1066 SO-DIMM от Kingston
07.12.2008 [16:46], Руслан Цап
Компания Kingston Technology объявила о начале массовых продаж новых 2-гигабайтных модулей памяти DDR3-1066 SO-DIMM, которые недавно пополнили популярную среди геймеров продуктовую линейку HyperX и оборудованы фирменными радиаторами усовершенствованной конструкции.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/12/05/105720.jpg
Как особо отмечают разработчики, их детища функционируют на частоте 1066 МГц с впечатляюще малыми задержками CL5-5-5-15, характеризуются напряжением питания 1,5 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества.

Приобрести изделия можно уже сейчас в виде набора KHX8500S3ULK2/4G из пары планок суммарным объёмом 4 Гб, который предлагается по цене $228.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Team Xtreem Dark – не геймерами едины. Тестируем 4 ГБ комплекты памяти TXDD4096M800HC4DC-D и TXDD4096M1066HC5DC-D от Team Group
"Всего лишь полтора года назад стоимость комплекта оверклокерской памяти DDR2 объемом 2 ГБ зашкаливала за 400-долларовую отметку, тогда как обычные модули обходились в $130. За низкую цену пользователям были доступны планки стандарта DDR2-667, что не в пример продуктам для энтузиастов, способных функционировать на частотах 1066-1200 МГц, причем, в номинале. Но кроме отменного разгонного потенциала пользователям, заплатившим кругленькую сумму, доставались оригинальные и эффективные системы охлаждения модулей памяти, чего не скажешь о стандартных планках.

По мере падения цен на память уменьшался разгонный потенциал модулей, так как все меньше производителей использовало легендарные чипы Micron D9GKX и D9GMH. И если сейчас и встречаются подобные комплекты, то стоимость их в два раза выше распространенных наборов памяти для энтузиастов. Примерно за столько же можно приобрести комплекты объемом 4 ГБ, который стал де фактом для систем с операционной системой Windows Vista.

В рамках данного материала мы рассмотрим пару наборов памяти Xtreem Dark производства Team Group Inc. общим объемом 4 ГБ каждый, но рассчитанные на различную частоту. В прошлом году мы уже успели познакомиться с продукцией от Team Group, которая оставила только положительные впечатления. Насколько это верно в нынешнее время мы и попытаемся выяснить."