| imho.ws | 
|  |   | 
| 
 | |||||||
| 
		 
		Сообщения:
			Перейти к новому / 
			Последнее
		
		 | Опции темы | 
|  04.11.2002, 23:41 | # 1 | 
| ::VIP:: Регистрация: 02.03.2002 Адрес: в Кремле 
					Сообщения: 4 674
				         |  IBM объявила о создании самого быстрого транзистора на основе кремния 
			
			Компания IBM объявила о создании транзистора (электронного ключа), способного работать со скоростью в 350 миллиардов циклов в секунду, что в три раза превышает возможности современных транзисторов. По заявлению представителей IBM, новый транзистор позволит создавать сверхбыстрые микропроцессоры и повысить скорость передачи данных в беспроводных сетях. Микрочипы, применяемые в сотовых телефонах или в бытовой электронике, состоят из десятков тысяч транзисторов. Специалисты IBM утверждают, что новый транзистор разрабатывался именно для использования в телекоммуникационных устройствах. Новый транзистор является кремниево-германиевым (SiGe): он состоит из кремния, самого распространенного полупроводника, и германия, сходного по физическим свойствам с кремнием. Кремниево-германиевые транзисторы могут использоваться в сочетании с кремниевыми транзисторами для создания высокочастотных микросхем, используемых в сотовых телефонах, оптических коммутаторах и других телекоммуникационных устройствах. Специалисты IBM считают, что новый транзистор позволит в ближайшие два года создать недорогой специализированный микропроцессор для телекоммуникационных приборов, работающий с частотой 150 ГГц, энергопотребление которого будет оставаться на низком уровне. В настоящее время самый мощный телекоммуникационный микрочип способен работать с частотой около 50 ГГц. Подробнее о новом транзисторе компания IBM планирует рассказать на международном форуме разработчиков электронных устройств, который пройдет в Сан-Франциско с 9 по 11 декабря. www.compulenta.ru | 
|   |